YJSD12N03A

YJSD12N03A Yangjie Technology


Виробник: Yangjie Technology
Description: SOP-8 N 30V 12A Transistors FET
на замовлення 400000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+12.26 грн
20000+11.12 грн
40000+10.52 грн
80000+9.23 грн
160000+8.31 грн
400000+7.67 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис YJSD12N03A Yangjie Technology

Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 9.6A, Type of transistor: N-MOSFET x2, Technology: TRENCH POWER LV, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 9.6A, Pulsed drain current: 50A, Power dissipation: 2.5W, Case: SOP8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 15mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 23.6nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, кількість в упаковці: 5 шт.

Інші пропозиції YJSD12N03A за ціною від 8.08 грн до 18.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
YJSD12N03A YJSD12N03A Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB919FBAB1E39400C7&compId=YJSD12N03A.pdf?ci_sign=afee27ef68e6c48a3897ccc3d682229d34a4315e Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 9.6A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 7475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
30+15.38 грн
40+10.36 грн
100+9.10 грн
500+8.08 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
YJSD12N03A YJSD12N03A Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB919FBAB1E39400C7&compId=YJSD12N03A.pdf?ci_sign=afee27ef68e6c48a3897ccc3d682229d34a4315e Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 9.6A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 7475 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
20+18.45 грн
25+12.90 грн
100+10.92 грн
500+9.70 грн
8000+9.32 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.