YJSD12N03A Yangjie Technology
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 11.92 грн |
| 20000+ | 10.81 грн |
| 40000+ | 10.22 грн |
| 80000+ | 8.97 грн |
| 160000+ | 8.08 грн |
| 400000+ | 7.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис YJSD12N03A Yangjie Technology
Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 9.6A, Type of transistor: N-MOSFET x2, Technology: TRENCH POWER LV, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 9.6A, Pulsed drain current: 50A, Power dissipation: 2.5W, Case: SOP8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 15mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 23.6nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement.
Інші пропозиції YJSD12N03A за ціною від 7.86 грн до 16.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
YJSD12N03A | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
 Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 9.6A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: TRENCH POWER LV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 9.6A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 2.5W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15mΩ Mounting: SMD Gate charge: 23.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 7770 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|