YQ10RSM10SDTFTL1

YQ10RSM10SDTFTL1 Rohm Semiconductor


datasheet?p=YQ10RSM10SDTF&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRENCH MOS STRUCTURE, 100V, 10A,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-277A
Operating Temperature - Junction: 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 670 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+41.95 грн
Мінімальне замовлення: 4000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис YQ10RSM10SDTFTL1 Rohm Semiconductor

Description: TRENCH MOS STRUCTURE, 100V, 10A,, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: TO-277A, Operating Temperature - Junction: 150°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 670 mV @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 100 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції YQ10RSM10SDTFTL1 за ціною від 39.95 грн до 107.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
YQ10RSM10SDTFTL1 YQ10RSM10SDTFTL1 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=YQ10RSM10SDTF&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: TRENCH MOS STRUCTURE, 100V, 10A,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-277A
Operating Temperature - Junction: 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 670 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+99.41 грн
10+ 85.11 грн
25+ 80.77 грн
100+ 62.28 грн
250+ 58.22 грн
500+ 51.45 грн
1000+ 39.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
YQ10RSM10SDTFTL1 YQ10RSM10SDTFTL1 Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=YQ10RSM10SDTF&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Schottky Diodes & Rectifiers Trench MOS Structure, 100V, 10A, TO-277A, Highly Efficient SBD for Automotive: The YQ10RSM10SDTF is a highly efficient Schottky Barrier Diode that is designed improving the tradeoff between low VF and low IR. While its low VF
на замовлення 7840 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+107.22 грн
10+ 86.54 грн
100+ 58.54 грн
500+ 57.07 грн
4000+ 50.14 грн
Мінімальне замовлення: 3