YQ20BGE10SDTL ROHM
Виробник: ROHM
Description: ROHM - YQ20BGE10SDTL - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 20 A, Einfach, TO-252, 3 Pin(s), 860 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252
Durchlassstoßstrom: 150A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 860mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 49.85 грн |
| 500+ | 36.65 грн |
| 1000+ | 31.07 грн |
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Технічний опис YQ20BGE10SDTL ROHM
Description: ROHM - YQ20BGE10SDTL - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 20 A, Einfach, TO-252, 3 Pin(s), 860 mV, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-252, Durchlassstoßstrom: 150A, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Durchlassspannung, max.: 860mV, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchMOS Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 100V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції YQ20BGE10SDTL за ціною від 31.07 грн до 120.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
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YQ20BGE10SDTL | ROHM |
Description: ROHM - YQ20BGE10SDTL - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 20 A, Einfach, TO-252, 3 Pin(s), 860 mV tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 Durchlassstoßstrom: 150A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 860mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 100V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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YQ20BGE10SDTL | ROHM Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers Trench MOS Structure, 100V, 20A, TO-252, Highly Efficient SBD: The YQ20BGE10SD is a highly efficient Schottky Barrier Diode that is designed improving the tradeoff between low VF and low IR. While its low VF it achieves stable |
на замовлення 4820 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
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| YQ20BGE10SDTL |
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Виробник: ROHM
Description: ROHM - YQ20BGE10SDTL - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 20 A, Einfach, TO-252, 3 Pin(s), 860 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252
Durchlassstoßstrom: 150A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 860mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: ROHM - YQ20BGE10SDTL - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 20 A, Einfach, TO-252, 3 Pin(s), 860 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252
Durchlassstoßstrom: 150A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 860mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 99.06 грн |
| 12+ | 70.55 грн |
| 100+ | 49.85 грн |
| 500+ | 36.65 грн |
| 1000+ | 31.07 грн |
| YQ20BGE10SDTL |
Виробник: ROHM Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers Trench MOS Structure, 100V, 20A, TO-252, Highly Efficient SBD: The YQ20BGE10SD is a highly efficient Schottky Barrier Diode that is designed improving the tradeoff between low VF and low IR. While its low VF it achieves stable
Schottky Diodes & Rectifiers Trench MOS Structure, 100V, 20A, TO-252, Highly Efficient SBD: The YQ20BGE10SD is a highly efficient Schottky Barrier Diode that is designed improving the tradeoff between low VF and low IR. While its low VF it achieves stable
на замовлення 4820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 120.81 грн |
| 10+ | 84.95 грн |
| 25+ | 67.10 грн |
| 100+ | 52.53 грн |
| 250+ | 45.56 грн |
| 500+ | 41.28 грн |
| 1000+ | 36.93 грн |