YQ20BGE10SDTL ROHM Semiconductor
Виробник: ROHM Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers Trench MOS Structure, 100V, 20A, TO-252, Highly Efficient SBD: The YQ20BGE10SD is a highly efficient Schottky Barrier Diode that is designed improving the tradeoff between low VF and low IR. While its low VF it achieves stable
Schottky Diodes & Rectifiers Trench MOS Structure, 100V, 20A, TO-252, Highly Efficient SBD: The YQ20BGE10SD is a highly efficient Schottky Barrier Diode that is designed improving the tradeoff between low VF and low IR. While its low VF it achieves stable
на замовлення 4820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 139.75 грн |
| 10+ | 98.26 грн |
| 25+ | 77.62 грн |
| 100+ | 60.77 грн |
| 250+ | 52.71 грн |
| 500+ | 47.75 грн |
| 1000+ | 42.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис YQ20BGE10SDTL ROHM Semiconductor
Description: ROHM - YQ20BGE10SDTL - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 20 A, Einfach, TO-252, 3 Pin(s), 860 mV, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-252, Durchlassstoßstrom: 150A, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 860mV, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchMOS Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції YQ20BGE10SDTL за ціною від 43.84 грн до 148.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
YQ20BGE10SDTL | Виробник : ROHM |
 Description: ROHM - YQ20BGE10SDTL - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 20 A, Einfach, TO-252, 3 Pin(s), 860 mVtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 Durchlassstoßstrom: 150A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 860mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|