YQ2VWM10BTFTR Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: TRENCH MOS STRUCTURE, 100V, 2A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: PMDE
Operating Temperature - Junction: 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 30.18 грн |
| 12+ | 24.49 грн |
| 25+ | 22.83 грн |
| 100+ | 17.12 грн |
| 250+ | 15.9 грн |
| 500+ | 13.46 грн |
| 1000+ | 10.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис YQ2VWM10BTFTR Rohm Semiconductor
Description: TRENCH MOS STRUCTURE, 100V, 2A, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 2-SMD, Flat Lead, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 2A, Supplier Device Package: PMDE, Operating Temperature - Junction: 175°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 2 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції YQ2VWM10BTFTR за ціною від 8.64 грн до 31.7 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
YQ2VWM10BTFTR | Виробник : ROHM Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers MOS STRUCTURE, 100V, 2A, PMDE |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
YQ2VWM10BTFTR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRENCH MOS STRUCTURE, 100V, 2A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 2-SMD, Flat Lead Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: PMDE Operating Temperature - Junction: 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |