YQ30NL10SEFHTL Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: DIODE SCHOTTKY 100V 30A TO263L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263L
Operating Temperature - Junction: 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 860 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 245.31 грн |
| 10+ | 150.60 грн |
| 25+ | 128.16 грн |
| 100+ | 96.42 грн |
| 250+ | 84.72 грн |
| 500+ | 77.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис YQ30NL10SEFHTL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - YQ30NL10SEFHTL - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 30 A, Einfach, TO-263L, 3 Pin(s), 860 mV, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-263L, Durchlassstoßstrom: 200A, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: AEC-Q101, Durchlassspannung, max.: 860mV, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchMOS Series, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції YQ30NL10SEFHTL за ціною від 70.16 грн до 256.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
YQ30NL10SEFHTL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - YQ30NL10SEFHTL - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 30 A, Einfach, TO-263L, 3 Pin(s), 860 mV tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263L Durchlassstoßstrom: 200A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 860mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS Series productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
YQ30NL10SEFHTL | Виробник : ROHM Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers Trench MOS Structure, 100V, 30A, TO-263L, Highly Efficient SBD for Automotive: The YQ30NL10SEFH is a highly efficient Schottky Barrier Diode that is designed improving the tradeoff between low VF and low IR. While its low VF i |
на замовлення 1420 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
YQ30NL10SEFHTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 30A TO263L Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 30A Supplier Device Package: TO-263L Operating Temperature - Junction: 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 860 mV @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 100 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |