
ZHB6792TA Diodes Incorporated

Description: TRANS 2NPN/2PNP 70V 1A SM8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-223-8
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN, 2 PNP (H-Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.25W
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 70V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SM8
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1000+ | 84.60 грн |
2000+ | 76.01 грн |
3000+ | 75.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZHB6792TA Diodes Incorporated
Description: TRANS 2NPN/2PNP 70V 1A SM8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-223-8, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN, 2 PNP (H-Bridge), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 1.25W, Current - Collector (Ic) (Max): 1A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 70V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SM8.
Інші пропозиції ZHB6792TA за ціною від 76.51 грн до 247.50 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
ZHB6792TA | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ZHB6792TA | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() |
на замовлення 1039 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ZHB6792TA | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-223-8 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN, 2 PNP (H-Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.25W Current - Collector (Ic) (Max): 1A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 70V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SM8 |
на замовлення 12628 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
ZHB6792TA |
![]() |
на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
![]() |
ZHB6792TA | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
ZHB6792TA | Виробник : Diodes Inc |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
ZHB6792TA | Виробник : Bourns |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
ZHB6792TA | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: NPN / PNP x2; bipolar; 70V; 1A; 2W; SM8; H-bridge Type of transistor: NPN / PNP x2 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 70V Collector current: 1A Power dissipation: 2W Case: SM8 Pulsed collector current: 2A Current gain: 200 Mounting: SMD Quantity in set/package: 1000pcs. Kind of package: reel; tape Frequency: 150MHz Semiconductor structure: H-bridge |
товару немає в наявності |