ZTX558 Diodes Incorporated


ZTX558.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 400V 0.2A E-LINE
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible)
Frequency - Transition: 50MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 6mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: E-Line-3
Packaging: Bulk
на замовлення 17107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+65.43 грн
10+39.36 грн
100+25.67 грн
500+18.56 грн
1000+16.78 грн
4000+14.02 грн
8000+12.75 грн
12000+12.22 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZTX558 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - ZTX558 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 400 V, 200 mA, 1 W, E-Line, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: E-Line, Dauerkollektorstrom: 200mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 50MHz, Betriebstemperatur, max.: 200°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції ZTX558

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
ZTX558 ZTX558 DIODES INC. DIODS11609-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZTX558 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 400 V, 200 mA, 1 W, E-Line, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: E-Line
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZTX558 ZTX558 Diodes Incorporated ZTX558.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP High Voltage
на замовлення 4447 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZTX558 ZTX558.pdf
на замовлення 160 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZTX558 DIODS11609-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZTX558 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 400 V, 200 mA, 1 W, E-Line, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: E-Line
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZTX558 ZTX558.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT PNP High Voltage
на замовлення 4447 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZTX558 ZTX558.pdf
на замовлення 160 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.