ZTX851 DIODES INCORPORATED
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 5A; 1.2W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 5A
Power dissipation: 1.2W
Case: TO92
Current gain: 25...300
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 130MHz
Manufacturer standard package: 4000pcs.
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 119.42 грн |
| 10+ | 68.23 грн |
| 40+ | 55.45 грн |
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Технічний опис ZTX851 DIODES INCORPORATED
Description: DIODES INC. - ZTX851 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 5 A, 1.2 W, E-Line, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Verlustleistung: 1.2W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: E-Line, Dauerkollektorstrom: 5A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 130MHz, Betriebstemperatur, max.: 200°C.
Інші пропозиції ZTX851
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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ZTX851 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZTX851 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 5 A, 1.2 W, E-Line, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 1.2W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: E-Line Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C |
на замовлення 2086 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| ZTX851 |
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Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZTX851 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 5 A, 1.2 W, E-Line, Durchsteckmontage
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Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 1.2W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: E-Line
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Description: DIODES INC. - ZTX851 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 5 A, 1.2 W, E-Line, Durchsteckmontage
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Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
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Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
на замовлення 2086 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)