ZTX851STZ Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 60V 5A E-LINE
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: E-Line-3, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 200mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.2 W
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 32.28 грн |
| 4000+ | 28.80 грн |
| 6000+ | 27.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZTX851STZ Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - ZTX851STZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 5 A, 1.58 W, E-Line, Durchsteckmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 75hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.58W, Bauform - Transistor: E-Line, Dauerkollektorstrom: 5A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: ZTX Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 130MHz, Betriebstemperatur, max.: 200°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції ZTX851STZ за ціною від 30.09 грн до 130.10 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
ZTX851STZ | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 60V 5A E-LINE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: E-Line-3, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 200mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.2 W |
на замовлення 3470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZTX851STZ | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT NPN Big Chip SELine |
на замовлення 2559 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZTX851STZ | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZTX851STZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 5 A, 1.58 W, E-Line, Durchsteckmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 75hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.58W Bauform - Transistor: E-Line Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: ZTX Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 318 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZTX851STZ | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 60V 5A 1200mW 3-Pin E-Line Box |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
ZTX851STZ | Виробник : Diodes Inc |
Trans GP BJT NPN 60V 5A 1200mW 3-Pin E-Line Box |
товару немає в наявності |