ZTX851STZ Diodes Incorporated


ZTX851.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 60V 5A E-LINE
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: E-Line-3, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 200mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.2 W
на замовлення 44000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+29.29 грн
4000+26.13 грн
6000+25.07 грн
10000+22.91 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZTX851STZ Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - ZTX851STZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 5 A, 1.58 W, E-Line, Durchsteckmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 75hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Verlustleistung: 1.58W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: E-Line, Dauerkollektorstrom: 5A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: ZTX Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 130MHz, Betriebstemperatur, max.: 200°C.

Інші пропозиції ZTX851STZ за ціною від 28.79 грн до 105.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
ZTX851STZ ZTX851STZ Diodes Incorporated ZTX851.pdf Description: TRANS NPN 60V 5A E-LINE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: E-Line-3, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 200mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.2 W
на замовлення 43955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.39 грн
10+64.02 грн
100+42.74 грн
500+31.55 грн
1000+28.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZTX851STZ ZTX851STZ DIODES INC. ZETXD004-7.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZTX851STZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 5 A, 1.58 W, E-Line, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 75hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 1.58W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: E-Line
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: ZTX Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZTX851STZ ZTX851STZ Diodes Incorporated ZTX851.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Big Chip SELine
на замовлення 1671 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZTX851STZ ZTX851.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 60V 5A E-LINE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: E-Line-3, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 200mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.2 W
на замовлення 43955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+105.39 грн
10+64.02 грн
100+42.74 грн
500+31.55 грн
1000+28.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZTX851STZ ZETXD004-7.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZTX851STZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 5 A, 1.58 W, E-Line, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 75hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 1.58W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: E-Line
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: ZTX Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZTX851STZ ZTX851.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT NPN Big Chip SELine
на замовлення 1671 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.