ZTX851STZ Diodes Incorporated
на замовлення 7610 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 75.98 грн |
| 10+ | 60.92 грн |
| 100+ | 41.22 грн |
| 500+ | 34.94 грн |
| 1000+ | 28.53 грн |
| 2000+ | 26.75 грн |
| 4000+ | 24.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZTX851STZ Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - ZTX851STZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 5 A, 1.58 W, E-Line, Durchsteckmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 75hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 5A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.58W, Bauform - Transistor: E-Line, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: ZTX Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 130MHz, Betriebstemperatur, max.: 200°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції ZTX851STZ за ціною від 30.04 грн до 80.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ZTX851STZ | Виробник : DIODES INC. |
 Description: DIODES INC. - ZTX851STZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 5 A, 1.58 W, E-Line, DurchsteckmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 75hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 5A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.58W Bauform - Transistor: E-Line Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: ZTX Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 3246 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
ZTX851STZ | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 60V 5A 1200mW 3-Pin E-Line Box |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
ZTX851STZ | Виробник : Diodes Inc |
Trans GP BJT NPN 60V 5A 1200mW 3-Pin E-Line Box |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
ZTX851STZ | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 60V 5A E-LINE Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: E-Line-3, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 200mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.2 W |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
ZTX851STZ | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 60V 5A E-LINE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: E-Line-3, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 200mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.2 W |
товар відсутній |