Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції ZTX853 за ціною від 22.97 грн до 107.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
ZTX853 | Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1200mW 3-Pin E-Line |
на замовлення 1262 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
ZTX853 | Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1200mW 3-Pin E-Line |
на замовлення 1120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
ZTX853 | Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1200mW 3-Pin E-Line |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
ZTX853 | Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1200mW 3-Pin E-Line |
на замовлення 39 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
ZTX853 | Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 100V 4A E-LINEPackaging: Bulk Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.2 W |
на замовлення 22452 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
ZTX853 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZTX853 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4 A, 1.2 W, E-Line, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 1.2W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: E-Line Dauerkollektorstrom: 4A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C |
на замовлення 1358 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
ZTX853 | Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT NPN Medium Power |
на замовлення 5370 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| ZTX853 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1200mW 3-Pin E-Line
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1200mW 3-Pin E-Line
на замовлення 1262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 280+ | 35.83 грн |
| ZTX853 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1200mW 3-Pin E-Line
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1200mW 3-Pin E-Line
на замовлення 1120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 394+ | 35.98 грн |
| ZTX853 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1200mW 3-Pin E-Line
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1200mW 3-Pin E-Line
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 40.92 грн |
| ZTX853 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1200mW 3-Pin E-Line
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1200mW 3-Pin E-Line
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 39+ | 42.53 грн |
| ZTX853 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 100V 4A E-LINE
Packaging: Bulk
Package / Case: E-Line-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.2 W
Description: TRANS NPN 100V 4A E-LINE
Packaging: Bulk
Package / Case: E-Line-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.2 W
на замовлення 22452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 107.71 грн |
| 10+ | 65.22 грн |
| 100+ | 43.58 грн |
| 500+ | 32.16 грн |
| 1000+ | 29.35 грн |
| 4000+ | 25.00 грн |
| 8000+ | 22.97 грн |
| ZTX853 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZTX853 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4 A, 1.2 W, E-Line, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 1.2W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: E-Line
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Description: DIODES INC. - ZTX853 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4 A, 1.2 W, E-Line, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 1.2W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: E-Line
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
на замовлення 1358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| ZTX853 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT NPN Medium Power
Bipolar Transistors - BJT NPN Medium Power
на замовлення 5370 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)






