на замовлення 6901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 25.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZTX853 Diodes Inc
Description: DIODES INC. - ZTX853 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4 A, 1.2 W, E-Line, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 4A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.2W, Bauform - Transistor: E-Line, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 130MHz, Betriebstemperatur, max.: 200°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції ZTX853 за ціною від 21.08 грн до 84.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ZTX853 | Виробник : Diodes Zetex |
 Trans GP BJT NPN 100V 4A 1200mW 3-Pin E-Line |
на замовлення 6900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZTX853 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 100V 4A E-LINE Packaging: Bulk Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.2 W |
на замовлення 10517 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZTX853 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1200mW 3-Pin E-Line |
на замовлення 6901 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZTX853 | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT NPN Medium Power |
на замовлення 4378 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZTX853 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZTX853 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4 A, 1.2 W, E-Line, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 4A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.2W Bauform - Transistor: E-Line Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 7706 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
ZTX853 Код товару: 186824 |
Транзистори > Біполярні NPN |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
|
|
ZTX853 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1200mW 3-Pin E-Line |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
ZTX853 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 4A; 1.2W; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 4A Power dissipation: 1.2W Case: TO92 Mounting: THT Kind of package: bulk кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| ZTX853 | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
ZTX853 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 4A; 1.2W; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 4A Power dissipation: 1.2W Case: TO92 Mounting: THT Kind of package: bulk |
товар відсутній |