Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції ZTX853 за ціною від 23.03 грн до 118.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ZTX853 | Виробник : Diodes Zetex |
 Trans GP BJT NPN 100V 4A 1200mW 3-Pin E-Line |
на замовлення 1120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZTX853 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1200mW 3-Pin E-Line |
на замовлення 1262 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZTX853 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1200mW 3-Pin E-Line |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZTX853 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1200mW 3-Pin E-Line |
на замовлення 39 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZTX853 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 4A; 1.2W; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 4A Power dissipation: 1.2W Case: TO92 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 130MHz Quantity in set/package: 4000pcs. |
на замовлення 3560 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZTX853 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 100V 4A E-LINE Packaging: Bulk Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.2 W |
на замовлення 22452 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZTX853 | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT NPN Medium Power |
на замовлення 5370 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZTX853 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZTX853 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4 A, 1.2 W, E-Line, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.2W Bauform - Transistor: E-Line Dauerkollektorstrom: 4A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 3540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZTX853 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1200mW 3-Pin E-Line |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| ZTX853 | Виробник : Diodes |
Транзистор: NPN; биполярный; 100В; 4А; 1,2Вт; TO92 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| ZTX853 | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT |
товару немає в наявності |