ZTX853STZ Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 4A E-LINE
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: E-Line-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.2 W
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 29.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZTX853STZ Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - ZTX853STZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4 A, 1.58 W, E-Line, Durchsteckmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 4A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.58W, Bauform - Transistor: E-Line, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: ZTX Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 130MHz, Betriebstemperatur, max.: 200°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції ZTX853STZ за ціною від 27.58 грн до 122.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ZTX853STZ | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1200mW 3-Pin E-Line Box |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
ZTX853STZ | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT NPN Big Chip SELine |
на замовлення 3242 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
ZTX853STZ | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZTX853STZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4 A, 1.58 W, E-Line, Durchsteckmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 4A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.58W Bauform - Transistor: E-Line Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: ZTX Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1853 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZTX853STZ | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 100V 4A E-LINE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.2 W |
на замовлення 11990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZTX853STZ | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1200mW 3-Pin E-Line Box |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
ZTX853STZ | Виробник : Diodes Inc |
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1200mW 3-Pin E-Line Box |
товару немає в наявності |