Продукція > DIODES INCORPORATED > ZTX853STZ
ZTX853STZ

ZTX853STZ Diodes Incorporated

ZTX853.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 100V 4A E-LINE
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: E-Line-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.2 W
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+29.87 грн
4000+26.64 грн
6000+25.56 грн
10000+23.35 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZTX853STZ Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - ZTX853STZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4 A, 1.58 W, E-Line, Durchsteckmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.58W, Bauform - Transistor: E-Line, Dauerkollektorstrom: 4A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: ZTX Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 130MHz, Betriebstemperatur, max.: 200°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції ZTX853STZ за ціною від 29.35 грн до 107.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
ZTX853STZ ZTX853STZ Diodes Zetex ztx853.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1200mW 3-Pin E-Line Box
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+40.92 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZTX853STZ ZTX853STZ Diodes Incorporated ZTX853.pdf Description: TRANS NPN 100V 4A E-LINE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: E-Line-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.2 W
на замовлення 11889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.71 грн
10+65.22 грн
100+43.58 грн
500+32.16 грн
1000+29.35 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZTX853STZ ZTX853STZ DIODES INC. DIODS16656-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZTX853STZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4 A, 1.58 W, E-Line, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.58W
Bauform - Transistor: E-Line
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: ZTX Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZTX853STZ ZTX853STZ Diodes Incorporated ZTX853.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Big Chip SELine
на замовлення 2818 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZTX853STZ ztx853.pdf
ZTX853STZ
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1200mW 3-Pin E-Line Box
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+40.92 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZTX853STZ ZTX853.pdf
ZTX853STZ
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 100V 4A E-LINE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: E-Line-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.2 W
на замовлення 11889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+107.71 грн
10+65.22 грн
100+43.58 грн
500+32.16 грн
1000+29.35 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZTX853STZ DIODS16656-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ZTX853STZ
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZTX853STZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4 A, 1.58 W, E-Line, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.58W
Bauform - Transistor: E-Line
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: ZTX Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZTX853STZ ZTX853.pdf
ZTX853STZ
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT NPN Big Chip SELine
на замовлення 2818 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.