Продукція > DIODES INCORPORATED > ZTX857
ZTX857

ZTX857 Diodes Incorporated

ZTX857.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 300V 3A E-LINE
Power - Max: 1.2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible)
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 600mA, 3A
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: E-Line-3
Packaging: Bulk
на замовлення 41080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+126.31 грн
10+77.46 грн
100+51.95 грн
500+38.51 грн
1000+35.22 грн
4000+30.11 грн
8000+28.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZTX857 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - ZTX857 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 3 A, 1.2 W, E-Line, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.2W, Bauform - Transistor: E-Line, Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 80MHz, Betriebstemperatur, max.: 200°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції ZTX857

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
ZTX857 ZTX857 DIODES INC. ZTX857.pdf Description: DIODES INC. - ZTX857 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 3 A, 1.2 W, E-Line, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: E-Line
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZTX857 ZTX857 Diodes Incorporated DIODS11630_1-2541778.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Big Chip SELine
на замовлення 5336 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZTX857 ZTX857.pdf
ZTX857
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZTX857 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 3 A, 1.2 W, E-Line, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: E-Line
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZTX857 DIODS11630_1-2541778.pdf
ZTX857
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT NPN Big Chip SELine
на замовлення 5336 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.