Продукція > DIODES ZETEX > ZTX857
ZTX857

ZTX857 Diodes Zetex

ztx857.pdf
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 300V 3A 1200mW 3-Pin E-Line
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+42.13 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 4000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZTX857 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - ZTX857 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 3 A, 1.2 W, E-Line, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Verlustleistung: 1.2W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: E-Line, Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 80MHz, Betriebstemperatur, max.: 200°C.

Інші пропозиції ZTX857 за ціною від 28.06 грн до 125.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
ZTX857 ZTX857 Diodes Incorporated DIODS11630_1-2541778.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Big Chip SELine
на замовлення 5336 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+104.95 грн
10+76.37 грн
100+46.51 грн
500+37.59 грн
1000+34.74 грн
2000+34.66 грн
4000+32.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZTX857 ZTX857 Diodes Incorporated ZTX857.pdf Description: TRANS NPN 300V 3A E-LINE
Packaging: Bulk
Package / Case: E-Line-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 1.2 W
на замовлення 41080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.73 грн
10+77.10 грн
100+51.71 грн
500+38.33 грн
1000+35.05 грн
4000+29.97 грн
8000+28.06 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZTX857 ZTX857 DIODES INC. DIODS11630-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZTX857 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 3 A, 1.2 W, E-Line, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 1.2W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: E-Line
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
на замовлення 1191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZTX857 DIODS11630_1-2541778.pdf
ZTX857
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT NPN Big Chip SELine
на замовлення 5336 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+104.95 грн
10+76.37 грн
100+46.51 грн
500+37.59 грн
1000+34.74 грн
2000+34.66 грн
4000+32.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZTX857 ZTX857.pdf
ZTX857
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 300V 3A E-LINE
Packaging: Bulk
Package / Case: E-Line-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 1.2 W
на замовлення 41080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+125.73 грн
10+77.10 грн
100+51.71 грн
500+38.33 грн
1000+35.05 грн
4000+29.97 грн
8000+28.06 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZTX857 DIODS11630-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ZTX857
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZTX857 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 3 A, 1.2 W, E-Line, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 1.2W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: E-Line
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
на замовлення 1191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.