Продукція > DIODES INCORPORATED > ZTX857
ZTX857

ZTX857 Diodes Incorporated

ZTX857.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 300V 3A E-LINE
Packaging: Bulk
Package / Case: E-Line-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 1.2 W
на замовлення 6827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+78 грн
10+ 61.55 грн
100+ 47.86 грн
4000+ 29.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZTX857 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - ZTX857 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 3 A, 1.2 W, E-Line, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 3A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.2W, Bauform - Transistor: E-Line, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 80MHz, Betriebstemperatur, max.: 200°C, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

Інші пропозиції ZTX857 за ціною від 28.64 грн до 95.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
ZTX857 ZTX857 Виробник : Diodes Incorporated DIODS11630_1-2541778.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Big Chip SELine
на замовлення 7512 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+85.68 грн
10+ 69.1 грн
100+ 46.73 грн
500+ 39.59 грн
1000+ 32.25 грн
2000+ 30.38 грн
4000+ 28.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
ZTX857 ZTX857 Виробник : DIODES INC. DIODS11630-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZTX857 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 3 A, 1.2 W, E-Line, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: E-Line
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 4545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+95.86 грн
11+ 73.62 грн
100+ 53.47 грн
500+ 42.07 грн
1000+ 34.28 грн
Мінімальне замовлення: 8
ZTX857 ZTX857 Виробник : Diodes Zetex ztx857.pdf Trans GP BJT NPN 300V 3A 1200mW 3-Pin E-Line
товар відсутній
ZTX857 ZTX857 Виробник : Diodes Inc ztx857.pdf Trans GP BJT NPN 300V 3A 1200mW 3-Pin E-Line
товар відсутній
ZTX857 Виробник : onsemi ZTX857.pdf Bipolar Transistors - BJT
товар відсутній