ZTX857STZ Diodes Incorporated


ZTX857.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 300V 3A E-LINE
Power - Max: 1.2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible)
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 600mA, 3A
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: E-Line-3, Formed Leads
Packaging: Tape & Box (TB)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+36.28 грн
4000+32.43 грн
6000+31.15 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZTX857STZ Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - ZTX857STZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 3 A, 1.58 W, E-Line, Durchsteckmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.58W, Bauform - Transistor: E-Line, Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: ZTX Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 80MHz, Betriebstemperatur, max.: 200°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції ZTX857STZ за ціною від 35.58 грн до 127.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
ZTX857STZ ZTX857STZ Diodes Zetex ztx857.pdf Trans GP BJT NPN 300V 3A 1200mW 3-Pin E-Line Box
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+42.36 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZTX857STZ ZTX857STZ Diodes Incorporated ZTX857.pdf Description: TRANS NPN 300V 3A E-LINE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: E-Line-3, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 1.2 W
на замовлення 7971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.86 грн
10+78.13 грн
100+52.47 грн
500+38.90 грн
1000+35.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZTX857STZ ZTX857STZ Diodes Incorporated ZETXD004_7-2544121.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Big Chip SELine
на замовлення 11205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZTX857STZ ZTX857STZ DIODES INC. ZTX857.pdf Description: DIODES INC. - ZTX857STZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 3 A, 1.58 W, E-Line, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.58W
Bauform - Transistor: E-Line
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: ZTX Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZTX857STZ ZTX857.pdf
на замовлення 8668 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZTX857STZ ztx857.pdf
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 300V 3A 1200mW 3-Pin E-Line Box
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+42.36 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZTX857STZ ZTX857.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 300V 3A E-LINE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: E-Line-3, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 1.2 W
на замовлення 7971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+127.86 грн
10+78.13 грн
100+52.47 грн
500+38.90 грн
1000+35.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZTX857STZ ZETXD004_7-2544121.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT NPN Big Chip SELine
на замовлення 11205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZTX857STZ ZTX857.pdf
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZTX857STZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 3 A, 1.58 W, E-Line, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.58W
Bauform - Transistor: E-Line
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: ZTX Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZTX857STZ ZTX857.pdf
на замовлення 8668 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.