Продукція > DIODES INCORPORATED > ZTX951
ZTX951

ZTX951 Diodes Incorporated

ZTX951.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 60V 4A E-LINE
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Power - Max: 1.2 W
Part Status: Active
Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible)
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 400mA, 4A
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: E-Line-3
Packaging: Bulk
на замовлення 66721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+115.46 грн
10+69.92 грн
100+46.71 грн
500+34.47 грн
1000+31.46 грн
4000+26.80 грн
8000+24.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZTX951 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - ZTX951 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 4 A, 1.2 W, E-Line, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.2W, Bauform - Transistor: E-Line, Dauerkollektorstrom: 4A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 120MHz, Betriebstemperatur, max.: 200°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції ZTX951

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
ZTX951 ZTX951 DIODES INC. ZTX951.pdf Description: DIODES INC. - ZTX951 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 4 A, 1.2 W, E-Line, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: E-Line
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 4499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZTX951 ZTX951 Diodes Incorporated ZTX951.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP Medium Power
на замовлення 2527 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZTX951 ZTX951.pdf
ZTX951
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZTX951 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 4 A, 1.2 W, E-Line, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: E-Line
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 4499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZTX951 ZTX951.pdf
ZTX951
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT PNP Medium Power
на замовлення 2527 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.