Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZVN2110A Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - ZVN2110A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 320 mA, 4 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 320mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, Verlustleistung: 700mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-226AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm.
Інші пропозиції ZVN2110A за ціною від 15.91 грн до 72.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
ZVN2110A | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.32A 3-Pin E-Line |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
ZVN2110A | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V |
на замовлення 5227 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
ZVN2110A | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZVN2110A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 320 mA, 4 ohm, TO-226AA, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 320mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V Verlustleistung: 700mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-226AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm |
на замовлення 4961 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
ZVN2110A | Diodes Incorporated |
MOSFETs N-Chnl 100V |
на замовлення 6613 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| ZVN2110A |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 100V 0.32A 3-Pin E-Line
Trans MOSFET N-CH 100V 0.32A 3-Pin E-Line
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 23.84 грн |
| ZVN2110A |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V
на замовлення 5227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 72.84 грн |
| 10+ | 43.88 грн |
| 100+ | 28.77 грн |
| 500+ | 20.91 грн |
| 1000+ | 18.95 грн |
| 4000+ | 15.91 грн |
| ZVN2110A |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZVN2110A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 320 mA, 4 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 320mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 700mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
Description: DIODES INC. - ZVN2110A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 320 mA, 4 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 320mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 700mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
на замовлення 4961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| ZVN2110A |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs N-Chnl 100V
MOSFETs N-Chnl 100V
на замовлення 6613 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)






