Продукція > DIODES INCORPORATED > ZVN3306A
ZVN3306A

ZVN3306A Diodes Incorporated

ZVN3306A.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-92
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bulk
на замовлення 42569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+57.34 грн
10+46.49 грн
100+30.56 грн
500+22.27 грн
1000+20.20 грн
4000+16.88 грн
8000+15.52 грн
12000+15.15 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZVN3306A Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - ZVN3306A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 mA, 5 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 270mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625mW, Bauform - Transistor: TO-226AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції ZVN3306A

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
ZVN3306A ZVN3306A DIODES INC. DIODS12049-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZVN3306A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 mA, 5 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN3306A ZVN3306A Diodes Incorporated ZVN3306A.pdf MOSFETs N-Chnl 60V
на замовлення 5065 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN3306A DIODS12049-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ZVN3306A
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZVN3306A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 mA, 5 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN3306A ZVN3306A.pdf
ZVN3306A
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs N-Chnl 60V
на замовлення 5065 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.