Технічний опис ZVN3306A Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - ZVN3306A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 mA, 5 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 270mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, Verlustleistung: 625mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-226AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm.
Інші пропозиції ZVN3306A за ціною від 21.64 грн до 125.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ZVN3306A | Diodes Zetex |
 Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin E-Line |
на замовлення 1950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
ZVN3306A | DIODES INCORPORATED |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.27A; Idm: 3A; 0.625W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.27A Pulsed drain current: 3A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement |
на замовлення 3472 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
ZVN3306A | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 18 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-92 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Packaging: Bulk |
на замовлення 8838 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZVN3306A | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin E-Line |
на замовлення 1955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
ZVN3306A | Diodes Incorporated |
MOSFETs N-Chnl 60V |
на замовлення 6229 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
 |
ZVN3306A | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZVN3306A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 mA, 5 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 270mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V Verlustleistung: 625mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-226AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm |
на замовлення 941 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| ZVN3306A |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin E-Line
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin E-Line
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 174+ | 81.66 грн |
| 261+ | 54.20 грн |
| 500+ | 42.12 грн |
| 1000+ | 36.30 грн |
| ZVN3306A |
|
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.27A; Idm: 3A; 0.625W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.27A
Pulsed drain current: 3A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.27A; Idm: 3A; 0.625W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.27A
Pulsed drain current: 3A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3472 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 83.09 грн |
| 10+ | 45.20 грн |
| 40+ | 34.13 грн |
| 100+ | 29.10 грн |
| 200+ | 26.17 грн |
| 500+ | 23.23 грн |
| 1000+ | 21.64 грн |
| ZVN3306A |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-92
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bulk
Description: MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-92
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bulk
на замовлення 8838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 103.46 грн |
| 10+ | 63.02 грн |
| 25+ | 53.08 грн |
| 50+ | 44.00 грн |
| 100+ | 39.10 грн |
| ZVN3306A |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin E-Line
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin E-Line
на замовлення 1955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 125.49 грн |
| 10+ | 81.50 грн |
| 100+ | 54.09 грн |
| 500+ | 40.53 грн |
| 1000+ | 33.54 грн |
| ZVN3306A |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs N-Chnl 60V
MOSFETs N-Chnl 60V
на замовлення 6229 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| ZVN3306A |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZVN3306A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 mA, 5 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
Description: DIODES INC. - ZVN3306A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 mA, 5 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
на замовлення 941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)