ZVN3306ASTZ
Виробник: на замовлення 2712 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZVN3306ASTZ
Description: MOSFET N-CH 60V 270MA E-LINE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: E-Line-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 625mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA, Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 18 V.
Інші пропозиції ZVN3306ASTZ
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
ZVN3306ASTZ Код товару: 129098
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||
 |
ZVN3306ASTZ | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin E-Line T/R |
товару немає в наявності |
|
 |
ZVN3306ASTZ | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin E-Line T/R |
товару немає в наявності |
|
 |
ZVN3306ASTZ | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 270MA E-LINE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 18 V |
товару немає в наявності |
|
 |
ZVN3306ASTZ | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs N-Chnl 60V |
товару немає в наявності |
|
| ZVN3306ASTZ | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.27A; Idm: 3A; 0.625W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.27A Pulsed drain current: 3A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5Ω Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |