ZVN3310A Diodes Incorporated


ZVN3310A.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-92
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bulk
на замовлення 27515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+25.07 грн
100+22.95 грн
500+21.32 грн
1000+20.51 грн
4000+20.13 грн
8000+18.40 грн
12000+18.26 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZVN3310A Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - ZVN3310A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 mA, 10 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, Verlustleistung: 625mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-226AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm.

Інші пропозиції ZVN3310A

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
ZVN3310A ZVN3310A DIODES INC. DIODS12050-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZVN3310A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 mA, 10 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
на замовлення 3853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN3310A ZVN3310A Diodes Incorporated ZVN3310A.pdf MOSFETs N-Chnl 100V
на замовлення 11060 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN3310A ZETEX ZVN3310A.pdf 06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN3310A DIODS12050-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZVN3310A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 mA, 10 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
на замовлення 3853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN3310A ZVN3310A.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs N-Chnl 100V
на замовлення 11060 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN3310A ZVN3310A.pdf
Виробник: ZETEX
06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.