Продукція > DIODES INCORPORATED > ZVN3310ASTZ
ZVN3310ASTZ

ZVN3310ASTZ Diodes Incorporated

ZVN3310A.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 200MA E-LINE
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: E-Line-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+25.05 грн
4000+22.26 грн
6000+21.31 грн
10000+18.99 грн
14000+18.40 грн
20000+17.82 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZVN3310ASTZ Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - ZVN3310ASTZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 mA, 10 ohm, E-Line, Durchsteckmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, Verlustleistung: 625mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: E-Line, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm.

Інші пропозиції ZVN3310ASTZ за ціною від 24.72 грн до 92.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
ZVN3310ASTZ ZVN3310ASTZ Diodes Incorporated ZVN3310A.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 200MA E-LINE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: E-Line-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V
на замовлення 68014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.99 грн
10+56.26 грн
100+37.16 грн
500+27.19 грн
1000+24.72 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN3310ASTZ ZVN3310ASTZ DIODES INC. DIODS08160-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZVN3310ASTZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 mA, 10 ohm, E-Line, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: E-Line
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
на замовлення 1833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN3310ASTZ ZVN3310ASTZ Diodes Incorporated ZVN3310A.pdf MOSFETs N-Chnl 100V
на замовлення 3843 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN3310ASTZ ZVN3310A.pdf
ZVN3310ASTZ
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 200MA E-LINE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: E-Line-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V
на замовлення 68014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+92.99 грн
10+56.26 грн
100+37.16 грн
500+27.19 грн
1000+24.72 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN3310ASTZ DIODS08160-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ZVN3310ASTZ
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZVN3310ASTZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 mA, 10 ohm, E-Line, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: E-Line
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
на замовлення 1833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN3310ASTZ ZVN3310A.pdf
ZVN3310ASTZ
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs N-Chnl 100V
на замовлення 3843 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.