ZVN4206A Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: TO-92
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bulk
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 66.77 грн |
| 10+ | 46.22 грн |
| 100+ | 26.73 грн |
| 500+ | 22.11 грн |
| 1000+ | 20.05 грн |
| 4000+ | 16.86 грн |
| 8000+ | 15.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZVN4206A Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - ZVN4206A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 600 mA, 1 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 600mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 700mW, Bauform - Transistor: TO-226AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції ZVN4206A за ціною від 18.57 грн до 89.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ZVN4206A | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs N-Chnl 60V |
на замовлення 5655 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZVN4206A | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.6A; Idm: 8A; 0.7W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.6A Power dissipation: 0.7W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 8A |
на замовлення 1850 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZVN4206A | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZVN4206A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 600 mA, 1 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 600mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 700mW Bauform - Transistor: TO-226AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 7289 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|