Продукція > DIODES INCORPORATED > ZVN4206A
ZVN4206A

ZVN4206A Diodes Incorporated

ZVN4206A.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: TO-92
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bulk
на замовлення 19418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+65.87 грн
10+45.59 грн
100+26.36 грн
500+21.81 грн
1000+19.78 грн
4000+16.63 грн
8000+15.17 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZVN4206A Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - ZVN4206A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 600 mA, 1 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 600mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 700mW, Bauform - Transistor: TO-226AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції ZVN4206A за ціною від 23.71 грн до 72.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
ZVN4206A ZVN4206A DIODES INCORPORATED ZVN4206A.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.6A; Idm: 8A; 0.7W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.6A
Power dissipation: 0.7W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 8A
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+72.32 грн
8+55.88 грн
10+48.92 грн
50+34.16 грн
100+29.35 грн
350+23.71 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4206A ZVN4206A DIODES INC. ZVN4206A.pdf Description: DIODES INC. - ZVN4206A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 600 mA, 1 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4206A ZVN4206A Diodes Incorporated ZVN4206A.pdf MOSFETs N-Chnl 60V
на замовлення 5655 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4206A ZVN4206A.pdf
ZVN4206A
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.6A; Idm: 8A; 0.7W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.6A
Power dissipation: 0.7W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 8A
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+72.32 грн
8+55.88 грн
10+48.92 грн
50+34.16 грн
100+29.35 грн
350+23.71 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4206A ZVN4206A.pdf
ZVN4206A
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZVN4206A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 600 mA, 1 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4206A ZVN4206A.pdf
ZVN4206A
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs N-Chnl 60V
на замовлення 5655 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.