на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 20.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZVN4206ASTZ Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - ZVN4206ASTZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 600 mA, 1 ohm, E-Line, Durchsteckmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 600mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 700mW, Bauform - Transistor: E-Line, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції ZVN4206ASTZ за ціною від 17.76 грн до 75.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ZVN4206ASTZ | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET N-CH 60V 600MA E-LINEPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V |
на замовлення 52000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZVN4206ASTZ | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs N-Chnl 60V |
на замовлення 3249 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZVN4206ASTZ | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZVN4206ASTZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 600 mA, 1 ohm, E-Line, Durchsteckmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 600mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 700mW Bauform - Transistor: E-Line Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
ZVN4206ASTZ | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.6A 3-Pin E-Line Box |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
ZVN4206ASTZ | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.6A 3-Pin E-Line Box |
товару немає в наявності |