Продукція > DIODES INCORPORATED > ZVN4206AV

ZVN4206AV Diodes Incorporated

Name: ZVN4206AV
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 190158-3
Price: 317.70 UAH
Availability: InStock

Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: TO-92
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bulk

на замовлення 4655 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
5+	63.54 грн
10+	41.12 грн
100+	28.37 грн
500+	21.19 грн
1000+	19.41 грн
4000+	16.61 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис ZVN4206AV Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - ZVN4206AV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 600 mA, 1 ohm, E-Line, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 600mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 700mW, Bauform - Transistor: E-Line, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції ZVN4206AV

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
ZVN4206AV	DIODES INC.	Description: DIODES INC. - ZVN4206AV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 600 mA, 1 ohm, E-Line, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 600mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 700mW Bauform - Transistor: E-Line Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)	на замовлення 110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
ZVN4206AV	Diodes Incorporated	MOSFETs Avalanche	на замовлення 6523 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
ZVN4206AV	ZETEX	06+;	на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.

ZVN4206AV

Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZVN4206AV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 600 mA, 1 ohm, E-Line, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: E-Line
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 110 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZVN4206AV

Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs Avalanche

на замовлення 6523 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZVN4206AV

Виробник: ZETEX
06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.