ZVN4206AVSTZ Diodes Incorporated


ZVN4206AV.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 600MA E-LINE
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: E-Line-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+26.81 грн
6000+22.79 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZVN4206AVSTZ Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - ZVN4206AVSTZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 600 mA, 1 ohm, E-Line, Durchsteckmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 600mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 700mW, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: E-Line, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm.

Інші пропозиції ZVN4206AVSTZ за ціною від 22.35 грн до 110.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
ZVN4206AVSTZ ZVN4206AVSTZ DIODES INCORPORATED ZVN4206AV.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.6A; Idm: 8A; 0.7W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 0.7W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Kind of channel: enhancement
на замовлення 723 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+94.73 грн
10+53.28 грн
50+42.64 грн
100+37.95 грн
200+33.34 грн
500+27.31 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4206AVSTZ ZVN4206AVSTZ Diodes Incorporated ZVN4206AV.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 600MA E-LINE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: E-Line-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
на замовлення 698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.22 грн
10+60.32 грн
25+50.76 грн
50+42.07 грн
100+37.38 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4206AVSTZ ZVN4206AVSTZ Diodes Incorporated ZVN4206AV.pdf MOSFETs Avalanche
на замовлення 290 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+110.87 грн
10+51.05 грн
100+39.42 грн
500+35.64 грн
1000+32.07 грн
2000+25.17 грн
4000+22.35 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4206AVSTZ ZVN4206AVSTZ DIODES INC. DIODS08164-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZVN4206AVSTZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 600 mA, 1 ohm, E-Line, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 700mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: E-Line
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
на замовлення 2151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4206AVSTZ ZVN4206AV.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.6A; Idm: 8A; 0.7W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 0.7W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Kind of channel: enhancement
на замовлення 723 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+94.73 грн
10+53.28 грн
50+42.64 грн
100+37.95 грн
200+33.34 грн
500+27.31 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4206AVSTZ ZVN4206AV.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 600MA E-LINE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: E-Line-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
на замовлення 698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+100.22 грн
10+60.32 грн
25+50.76 грн
50+42.07 грн
100+37.38 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4206AVSTZ ZVN4206AV.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs Avalanche
на замовлення 290 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+110.87 грн
10+51.05 грн
100+39.42 грн
500+35.64 грн
1000+32.07 грн
2000+25.17 грн
4000+22.35 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4206AVSTZ DIODS08164-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZVN4206AVSTZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 600 mA, 1 ohm, E-Line, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 700mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: E-Line
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
на замовлення 2151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.