Продукція > DIODES INCORPORATED > ZVN4206GVTA
ZVN4206GVTA

ZVN4206GVTA Diodes Incorporated

ZVN4206GV.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+32.26 грн
2000+28.54 грн
3000+27.25 грн
5000+24.21 грн
7000+23.40 грн
10000+22.62 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZVN4206GVTA Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 1A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-223-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V.

Інші пропозиції ZVN4206GVTA за ціною від 31.98 грн до 107.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
ZVN4206GVTA ZVN4206GVTA Diodes Incorporated ZVN4206GV.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
на замовлення 26458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.71 грн
10+65.29 грн
100+43.44 грн
500+31.98 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4206GVTA ZVN4206GVTA Diodes Incorporated ZVN4206GV.pdf MOSFETs N-Chnl 60V
на замовлення 4760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4206GVTA ZVN4206GV.pdf
на замовлення 19500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4206GVTA ZVN4206GV.pdf
ZVN4206GVTA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
на замовлення 26458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+107.71 грн
10+65.29 грн
100+43.44 грн
500+31.98 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4206GVTA ZVN4206GV.pdf
ZVN4206GVTA
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs N-Chnl 60V
на замовлення 4760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4206GVTA ZVN4206GV.pdf
на замовлення 19500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.