ZVN4210GTA Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 800MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 31.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZVN4210GTA Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - ZVN4210GTA - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 100 V, 800 mA, 1.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 800mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції ZVN4210GTA за ціною від 23.92 грн до 113.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ZVN4210GTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 872 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZVN4210GTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZVN4210GTA - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 100 V, 800 mA, 1.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 800mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1213 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZVN4210GTA | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs N-Chnl 100V |
на замовлення 1237 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZVN4210GTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZVN4210GTA - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 100 V, 800 mA, 1.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 800mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1213 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZVN4210GTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 100V 800MA SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V |
на замовлення 2590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| ZVN4210GTA |
|
на замовлення 45000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
| ZVN4210GTA | Виробник : Diodes Inc./Zetex |
MOSFET N-CH 100V 800MA SOT223 |
на замовлення 62 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
ZVN4210GTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
ZVN4210GTA | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| ZVN4210GTA | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.8A; Idm: 6A; 2W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.8A Pulsed drain current: 6A Power dissipation: 2W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |