| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 117.33 грн |
| 10+ | 84.92 грн |
| 100+ | 55.14 грн |
| 500+ | 44.38 грн |
| 1000+ | 40.86 грн |
| 2000+ | 40.16 грн |
| 4000+ | 37.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZVN4306A Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - ZVN4306A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.33 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 850mW, Bauform - Transistor: TO-226AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції ZVN4306A за ціною від 40.73 грн до 169.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ZVN4306A | Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Supplier Device Package: TO-92 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Power Dissipation (Max): 850mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Packaging: Bulk |
на замовлення 63431 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
ZVN4306A | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZVN4306A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.33 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 850mW Bauform - Transistor: TO-226AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 4293 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| ZVN4306A |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: TO-92
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 850mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bulk
Description: MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: TO-92
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 850mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bulk
на замовлення 63431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 160.61 грн |
| 10+ | 99.04 грн |
| 100+ | 67.26 грн |
| 500+ | 50.35 грн |
| 1000+ | 46.24 грн |
| 4000+ | 40.73 грн |
| ZVN4306A |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZVN4306A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.33 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 850mW
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - ZVN4306A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.33 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 850mW
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 4293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 169.02 грн |
| 10+ | 105.02 грн |
| 100+ | 71.46 грн |
| 500+ | 65.06 грн |
| 1000+ | 58.79 грн |