на замовлення 2275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 45.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZVN4306A Diodes Inc
Description: DIODES INC. - ZVN4306A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.33 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 850mW, Bauform - Transistor: TO-226AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції ZVN4306A за ціною від 40.46 грн до 165.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ZVN4306A | Виробник : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET N-CH 60V 1.1A 3-Pin E-Line Box |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZVN4306A | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 1.1A 3-Pin E-Line Box |
на замовлення 380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZVN4306A | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 1.1A 3-Pin E-Line Box |
на замовлення 424 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZVN4306A | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs N-Chnl 60V |
на замовлення 3462 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZVN4306A | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZVN4306A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.33 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 850mW Bauform - Transistor: TO-226AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1446 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZVN4306A | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 850mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V |
на замовлення 63431 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| ZVN4306A | Виробник : DIODES INCORPORATED |
ZVN4306A THT N channel transistors |
на замовлення 3353 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|