| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 87.79 грн |
| 10+ | 66.07 грн |
| 100+ | 46.13 грн |
| 500+ | 44.73 грн |
| 1000+ | 41.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZVN4306AV Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3, Supplier Device Package: TO-92, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 850mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 3A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Packaging: Bulk, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V.
Інші пропозиції ZVN4306AV за ціною від 37.80 грн до 109.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ZVN4306AV | Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3Supplier Device Package: TO-92 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Power Dissipation (Max): 850mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V |
на замовлення 17057 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| ZVN4306AV | ZETEX |
06+; |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| ZVN4306AV |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3
Supplier Device Package: TO-92
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 850mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Description: MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3
Supplier Device Package: TO-92
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 850mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
на замовлення 17057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 109.97 грн |
| 10+ | 86.70 грн |
| 100+ | 67.43 грн |
| 500+ | 53.64 грн |
| 1000+ | 43.69 грн |
| 4000+ | 41.13 грн |
| 8000+ | 38.53 грн |
| 12000+ | 37.80 грн |