Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZVN4306AV Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - ZVN4306AV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.22 ohm, E-Line, Durchsteckmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 1.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 850mW, Bauform - Transistor: E-Line, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції ZVN4306AV за ціною від 36.78 грн до 106.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ZVN4306AV | Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3Supplier Device Package: TO-92 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Power Dissipation (Max): 850mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V |
на замовлення 17057 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZVN4306AV | Diodes Incorporated |
MOSFETs Avalanche |
на замовлення 3236 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
 |
ZVN4306AV | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZVN4306AV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.22 ohm, E-Line, Durchsteckmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 1.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 850mW Bauform - Transistor: E-Line Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 3133 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVN4306AV | ZETEX |
06+; |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| ZVN4306AV |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3
Supplier Device Package: TO-92
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 850mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Description: MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3
Supplier Device Package: TO-92
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 850mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
на замовлення 17057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 106.99 грн |
| 10+ | 84.35 грн |
| 100+ | 65.61 грн |
| 500+ | 52.18 грн |
| 1000+ | 42.51 грн |
| 4000+ | 40.02 грн |
| 8000+ | 37.49 грн |
| 12000+ | 36.78 грн |
| ZVN4306AV |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs Avalanche
MOSFETs Avalanche
на замовлення 3236 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| ZVN4306AV |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZVN4306AV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.22 ohm, E-Line, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 850mW
Bauform - Transistor: E-Line
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - ZVN4306AV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.22 ohm, E-Line, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 850mW
Bauform - Transistor: E-Line
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)