ZVN4306AV Diodes Incorporated


ZVN4306AV.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3
Supplier Device Package: TO-92
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 850mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
на замовлення 3129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+189.88 грн
10+117.40 грн
25+100.02 грн
50+83.75 грн
100+75.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZVN4306AV Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - ZVN4306AV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.22 ohm, E-Line, Durchsteckmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 1.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 850mW, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: E-Line, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm.

Інші пропозиції ZVN4306AV

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
ZVN4306AV ZVN4306AV Diodes Incorporated ZVN4306AV.pdf MOSFETs Avalanche
на замовлення 3236 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4306AV ZVN4306AV DIODES INC. DIODS12055-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZVN4306AV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.22 ohm, E-Line, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 850mW
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: E-Line
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4306AV ZETEX ZVN4306AV.pdf 06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4306AV ZVN4306AV.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs Avalanche
на замовлення 3236 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4306AV DIODS12055-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZVN4306AV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.22 ohm, E-Line, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 850mW
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: E-Line
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4306AV ZVN4306AV.pdf
Виробник: ZETEX
06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.