ZVN4306GTA

ZVN4306GTA Diodes Inc


33356124400995608zvn4306g.pdf Виробник: Diodes Inc
Trans MOSFET N-CH 60V 2.1A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+35.04 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZVN4306GTA Diodes Inc

Description: MOSFET N-CH 60V 2.1A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-223-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V.

Інші пропозиції ZVN4306GTA за ціною від 35.31 грн до 151.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ZVN4306GTA ZVN4306GTA Виробник : Diodes Zetex zvn4306g.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+45.55 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4306GTA ZVN4306GTA Виробник : Diodes Incorporated ZVN4306G.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2.1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 47000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+47.55 грн
2000+42.29 грн
3000+40.50 грн
5000+37.07 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4306GTA ZVN4306GTA Виробник : Diodes Zetex zvn4306g.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+59.35 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4306GTA ZVN4306GTA Виробник : Diodes Zetex zvn4306g.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+62.16 грн
2000+56.05 грн
3000+54.98 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4306GTA ZVN4306GTA Виробник : Diodes Incorporated ZVN4306G.pdf MOSFETs N-Chnl 60V
на замовлення 1475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+115.05 грн
10+88.30 грн
100+53.98 грн
500+44.34 грн
1000+39.37 грн
2000+35.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4306GTA ZVN4306GTA Виробник : Diodes Incorporated ZVN4306G.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2.1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 47785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+151.46 грн
10+93.16 грн
100+62.91 грн
500+46.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4306GTA ZVN4306G.pdf
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4306GTA Виробник : DIODES INCORPORATED ZVN4306G.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.1A; Idm: 15A; 3W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.1A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.