ZVN4306GVTA Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 2.1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 51.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZVN4306GVTA Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - ZVN4306GVTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.1 A, 0.22 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 2.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції ZVN4306GVTA за ціною від 44.76 грн до 142.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ZVN4306GVTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 41000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
ZVN4306GVTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZVN4306GVTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.1 A, 0.22 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 978 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
ZVN4306GVTA | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs Avalanche |
на замовлення 1857 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
ZVN4306GVTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZVN4306GVTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.1 A, 0.22 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 978 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
ZVN4306GVTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 2.1A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V |
на замовлення 1153 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| ZVN4306GVTA |
|
на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
| ZVN4306GVTA | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.1A; Idm: 15A; 3W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 2.1A Pulsed drain current: 15A Power dissipation: 3W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |