Продукція > DIODES INCORPORATED > ZVN4306GVTA
ZVN4306GVTA

ZVN4306GVTA Diodes Incorporated

ZVN4306GV.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 2.1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+50.16 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZVN4306GVTA Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 2.1A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-223-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V.

Інші пропозиції ZVN4306GVTA за ціною від 41.63 грн до 137.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ZVN4306GVTA ZVN4306GVTA Diodes Incorporated ZVN4306GV.pdf MOSFETs Avalanche
на замовлення 1857 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+112.40 грн
10+92.20 грн
100+56.61 грн
500+50.14 грн
1000+41.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4306GVTA ZVN4306GVTA Diodes Incorporated ZVN4306GV.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2.1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 1153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.66 грн
10+89.67 грн
100+63.65 грн
500+48.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4306GVTA ZVN4306GV.pdf
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4306GVTA ZVN4306GV.pdf
ZVN4306GVTA
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs Avalanche
на замовлення 1857 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+112.40 грн
10+92.20 грн
100+56.61 грн
500+50.14 грн
1000+41.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4306GVTA ZVN4306GV.pdf
ZVN4306GVTA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 2.1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 1153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+137.66 грн
10+89.67 грн
100+63.65 грн
500+48.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4306GVTA ZVN4306GV.pdf
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.