ZVNL110ASTZ Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 320MA E-LINE
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: E-Line-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 25.18 грн |
| 4000+ | 22.37 грн |
| 6000+ | 21.41 грн |
| 10000+ | 19.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZVNL110ASTZ Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 320MA E-LINE, Packaging: Tape & Box (TB), Package / Case: E-Line-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA, Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V.
Інші пропозиції ZVNL110ASTZ за ціною від 16.06 грн до 93.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ZVNL110ASTZ | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs N-Chnl 100V |
на замовлення 3440 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZVNL110ASTZ | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 100V 320MA E-LINE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V |
на замовлення 13922 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|