Інші пропозиції ZVNL120A за ціною від 16.06 грн до 77.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
ZVNL120A | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 200V 180MA TO92-3Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 5V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-92 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 250mA, 5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole |
на замовлення 13894 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
ZVNL120A | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.18A; Idm: 2A; 0.7W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 0.18A Pulsed drain current: 2A Power dissipation: 0.7W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1970 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
ZVNL120A | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs N-Chnl 200V |
на замовлення 4065 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|



