ZVNL120GTA Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 200V 320MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 250mA, 5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 26.55 грн |
| 2000+ | 23.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZVNL120GTA Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - ZVNL120GTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 320 mA, 10 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 320mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, Verlustleistung: 2W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm.
Інші пропозиції ZVNL120GTA за ціною від 23.18 грн до 116.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ZVNL120GTA | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs N-Chnl 200V |
на замовлення 1080 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
ZVNL120GTA | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.32A; Idm: 2A; 2W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 0.32A Pulsed drain current: 2A Power dissipation: 2W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 325 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZVNL120GTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 200V 320MA SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 250mA, 5V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 25 V |
на замовлення 2293 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
ZVNL120GTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZVNL120GTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 320 mA, 10 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 320mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 2W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm |
на замовлення 274 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|