ZVNL120GTA Diodes Zetex
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 220+ | 64.96 грн |
| 242+ | 58.99 грн |
| 297+ | 48.06 грн |
| 300+ | 45.90 грн |
| 500+ | 36.95 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
220 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZVNL120GTA Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - ZVNL120GTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 320 mA, 10 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 320mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, Verlustleistung: 2W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm.
Інші пропозиції ZVNL120GTA за ціною від 23.90 грн до 136.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
ZVNL120GTA | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 200V 0.32A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
ZVNL120GTA | Diodes Incorporated |
MOSFETs N-Chnl 200V |
на замовлення 1080 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
ZVNL120GTA | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 200V 320MA SOT223Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 250mA, 5V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 25 V |
на замовлення 440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
ZVNL120GTA | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.32A; Idm: 2A; 2W; SOT223 Mounting: SMD Drain-source voltage: 200V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: SOT223 On-state resistance: 10Ω Pulsed drain current: 2A Power dissipation: 2W Polarisation: unipolar Drain current: 0.32A Kind of channel: enhancement |
на замовлення 285 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| ZVNL120GTA |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 200V 0.32A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 0.32A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 70.22 грн |
| 12+ | 64.95 грн |
| 25+ | 58.99 грн |
| 100+ | 46.34 грн |
| 250+ | 42.50 грн |
| 500+ | 23.90 грн |
| ZVNL120GTA |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs N-Chnl 200V
MOSFETs N-Chnl 200V
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 94.06 грн |
| 10+ | 61.45 грн |
| 100+ | 37.31 грн |
| 500+ | 29.54 грн |
| 1000+ | 25.95 грн |
| 2000+ | 24.33 грн |
| ZVNL120GTA |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 200V 320MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 250mA, 5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 200V 320MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 250mA, 5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 25 V
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 117.50 грн |
| 10+ | 71.54 грн |
| 25+ | 60.42 грн |
| 50+ | 50.21 грн |
| 100+ | 44.74 грн |
| ZVNL120GTA |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.32A; Idm: 2A; 2W; SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223
On-state resistance: 10Ω
Pulsed drain current: 2A
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.32A
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.32A; Idm: 2A; 2W; SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223
On-state resistance: 10Ω
Pulsed drain current: 2A
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.32A
Kind of channel: enhancement
на замовлення 285 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 136.19 грн |
| 10+ | 67.41 грн |
| 34+ | 28.54 грн |
| 92+ | 26.96 грн |





