ZVP0545GTA Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 450V 75MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150Ohm @ 50mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 27.91 грн |
| 2000+ | 25.30 грн |
| 5000+ | 24.09 грн |
| 10000+ | 21.57 грн |
| 25000+ | 21.52 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
1000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZVP0545GTA Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 450V 75MA SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150Ohm @ 50mA, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-223-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V.
Інші пропозиції ZVP0545GTA за ціною від 30.17 грн до 90.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
ZVP0545GTA | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 450V 75MA SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150Ohm @ 50mA, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V |
на замовлення 98877 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
ZVP0545GTA | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -450V; -0.075A; Idm: -150mA; 2W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -450V Drain current: -0.075A Pulsed drain current: -150mA Power dissipation: 2W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 150Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 17 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
ZVP0545GTA | Diodes Incorporated |
MOSFETs P-Chnl 450V |
на замовлення 6124 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
| ZVP0545GTA |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 450V 75MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150Ohm @ 50mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 450V 75MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150Ohm @ 50mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
на замовлення 98877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 63.17 грн |
| 10+ | 50.09 грн |
| 100+ | 38.92 грн |
| 500+ | 30.96 грн |
| ZVP0545GTA |
|
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -450V; -0.075A; Idm: -150mA; 2W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -450V
Drain current: -0.075A
Pulsed drain current: -150mA
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 150Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -450V; -0.075A; Idm: -150mA; 2W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -450V
Drain current: -0.075A
Pulsed drain current: -150mA
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 150Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 68.29 грн |
| 10+ | 43.72 грн |
| ZVP0545GTA |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs P-Chnl 450V
MOSFETs P-Chnl 450V
на замовлення 6124 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 90.58 грн |
| 10+ | 67.18 грн |
| 100+ | 38.82 грн |
| 500+ | 30.46 грн |
| 1000+ | 30.39 грн |
| 2000+ | 30.17 грн |