Продукція > DIODES INCORPORATED > ZVP1320FTA
ZVP1320FTA

ZVP1320FTA Diodes Incorporated

ZVP1320F.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 200V 35MA SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80Ohm @ 50mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1236000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+13.11 грн
6000+11.59 грн
9000+11.07 грн
15000+9.83 грн
21000+9.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZVP1320FTA Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - ZVP1320FTA - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 200 V, 35 mA, 80 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 330mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 80ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції ZVP1320FTA за ціною від 14.19 грн до 56.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
ZVP1320FTA ZVP1320FTA Diodes Incorporated ZVP1320F.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 35MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80Ohm @ 50mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 1238904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.57 грн
10+33.80 грн
100+21.92 грн
500+15.74 грн
1000+14.19 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP1320FTA ZVP1320FTA Diodes Incorporated ZVP1320F.pdf MOSFETs P-Chnl 200V
на замовлення 39985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP1320FTA ZVP1320FTA DIODES INC. DIODS14495-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZVP1320FTA - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 200 V, 35 mA, 80 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 80ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP1320FTA ZVP1320F.pdf
ZVP1320FTA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 200V 35MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80Ohm @ 50mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 1238904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+56.57 грн
10+33.80 грн
100+21.92 грн
500+15.74 грн
1000+14.19 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP1320FTA ZVP1320F.pdf
ZVP1320FTA
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs P-Chnl 200V
на замовлення 39985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP1320FTA DIODS14495-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ZVP1320FTA
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZVP1320FTA - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 200 V, 35 mA, 80 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 80ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.