ZVP1320FTA Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 200V 35MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80Ohm @ 50mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 1236000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 14.40 грн |
| 6000+ | 12.74 грн |
| 9000+ | 12.16 грн |
| 15000+ | 10.81 грн |
| 21000+ | 10.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZVP1320FTA Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - ZVP1320FTA - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 200 V, 35 mA, 80 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 330mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 80ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції ZVP1320FTA за ціною від 12.28 грн до 63.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ZVP1320FTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZVP1320FTA - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 200 V, 35 mA, 80 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 330mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 80ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1059 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
ZVP1320FTA | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -0.035A; 0.35W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -0.035A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 80Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1082 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZVP1320FTA | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -0.035A; 0.35W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -0.035A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 80Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1082 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
ZVP1320FTA | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs P-Chnl 200V |
на замовлення 39985 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZVP1320FTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 200V 35MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80Ohm @ 50mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V |
на замовлення 1238904 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZVP1320FTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZVP1320FTA - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 200 V, 35 mA, 80 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 330mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 80ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1059 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|