ZVP1320FTA Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 200V 35MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80Ohm @ 50mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 13.27 грн |
| 6000+ | 11.73 грн |
| 9000+ | 11.20 грн |
| 15000+ | 9.95 грн |
| 21000+ | 9.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZVP1320FTA Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - ZVP1320FTA - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 200 V, 35 mA, 80 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 330mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 80ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції ZVP1320FTA за ціною від 10.88 грн до 66.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ZVP1320FTA | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs P-Chnl 200V |
на замовлення 39985 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZVP1320FTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 200V 35MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80Ohm @ 50mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V |
на замовлення 1238904 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
ZVP1320FTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZVP1320FTA - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 200 V, 35 mA, 80 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 330mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 80ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3493 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|