ZVP2106ASTZ

ZVP2106ASTZ Diodes Incorporated


ZVP2106A.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 60V 280MA E-LINE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: E-Line-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 18 V
на замовлення 307 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+82.44 грн
10+53.37 грн
100+40.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZVP2106ASTZ Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - ZVP2106ASTZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 280 mA, 5 ohm, E-Line, Durchsteckmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 280mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 700mW, Bauform - Transistor: E-Line, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції ZVP2106ASTZ за ціною від 22.19 грн до 94.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ZVP2106ASTZ ZVP2106ASTZ Виробник : Diodes Incorporated ZVP2106A.pdf MOSFETs P-Chnl 60V
на замовлення 3678 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+88.92 грн
10+58.92 грн
100+38.71 грн
500+30.34 грн
1000+26.86 грн
2000+24.37 грн
4000+22.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP2106ASTZ ZVP2106ASTZ Виробник : DIODES INC. DIODS12278-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZVP2106ASTZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 280 mA, 5 ohm, E-Line, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 280mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: E-Line
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+94.81 грн
14+63.49 грн
100+47.91 грн
500+34.90 грн
1000+28.52 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP2106ASTZ ZVP2106A.pdf
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP2106ASTZ ZVP2106ASTZ Виробник : Diodes Inc zvp2106a.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.28A 3-Pin E-Line T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP2106ASTZ ZVP2106ASTZ Виробник : Diodes Zetex zvp2106a.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.28A 3-Pin E-Line T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP2106ASTZ ZVP2106ASTZ Виробник : Diodes Incorporated ZVP2106A.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 280MA E-LINE
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: E-Line-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 18 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP2106ASTZ Виробник : DIODES INCORPORATED ZVP2106A.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -280mA; Idm: -4A; 700mW; TO92
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.28A
Power dissipation: 0.7W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -4A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.