ZVP2106ASTZ Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 60V 280MA E-LINE
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: E-Line-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 18 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 25.00 грн |
| 4000+ | 22.25 грн |
| 6000+ | 21.32 грн |
| 10000+ | 19.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZVP2106ASTZ Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - ZVP2106ASTZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 280 mA, 5 ohm, E-Line, Durchsteckmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 280mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 700mW, Bauform - Transistor: E-Line, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції ZVP2106ASTZ за ціною від 22.80 грн до 100.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ZVP2106ASTZ | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.28A 3-Pin E-Line T/R |
на замовлення 74000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZVP2106ASTZ | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 60V 280MA E-LINE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 18 V |
на замовлення 74020 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
ZVP2106ASTZ | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs P-Chnl 60V |
на замовлення 4225 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
ZVP2106ASTZ | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZVP2106ASTZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 280 mA, 5 ohm, E-Line, Durchsteckmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 280mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 700mW Bauform - Transistor: E-Line Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3469 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| ZVP2106ASTZ |
|
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
ZVP2106ASTZ | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.28A 3-Pin E-Line T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| ZVP2106ASTZ | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -280mA; Idm: -4A; 700mW; TO92 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -0.28A Pulsed drain current: -4A Power dissipation: 0.7W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5Ω Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |