Інші пропозиції ZVP2110A за ціною від 27.25 грн до 100.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
ZVP2110A | Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 100V 0.23A 3-Pin E-Line |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
ZVP2110A | Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 100V 0.23A 3-Pin E-Line |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
ZVP2110A | DIODES INCORPORATED |
Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.23A; Idm: -3A; 0.7W; TO92 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -0.23A Pulsed drain current: -3A Power dissipation: 0.7W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1340 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
ZVP2110A | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 100V 230MA TO92-3Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 375mA, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V |
на замовлення 1715 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
ZVP2110A | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZVP2110A - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 230 mA, 8 ohm, TO-226AA, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 700mW Bauform - Transistor: TO-226AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
ZVP2110A | Diodes Incorporated |
MOSFETs P-Chnl 100V |
на замовлення 6036 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| ZVP2110A |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 100V 0.23A 3-Pin E-Line
Trans MOSFET P-CH 100V 0.23A 3-Pin E-Line
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 31.40 грн |
| ZVP2110A |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 100V 0.23A 3-Pin E-Line
Trans MOSFET P-CH 100V 0.23A 3-Pin E-Line
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 31.40 грн |
| ZVP2110A |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.23A; Idm: -3A; 0.7W; TO92
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.23A
Pulsed drain current: -3A
Power dissipation: 0.7W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.23A; Idm: -3A; 0.7W; TO92
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.23A
Pulsed drain current: -3A
Power dissipation: 0.7W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1340 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 88.40 грн |
| 10+ | 51.82 грн |
| 25+ | 44.19 грн |
| 50+ | 39.38 грн |
| 70+ | 37.39 грн |
| 100+ | 35.32 грн |
| 500+ | 29.43 грн |
| ZVP2110A |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 100V 230MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 375mA, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 100V 230MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 375mA, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
на замовлення 1715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 100.74 грн |
| 10+ | 61.41 грн |
| 100+ | 40.76 грн |
| 500+ | 29.93 грн |
| 1000+ | 27.25 грн |
| ZVP2110A |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZVP2110A - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 230 mA, 8 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - ZVP2110A - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 230 mA, 8 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| ZVP2110A |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs P-Chnl 100V
MOSFETs P-Chnl 100V
на замовлення 6036 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)








