на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 25.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZVP2110A Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - ZVP2110A - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 230 mA, 8 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 230mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 700mW, Bauform - Transistor: TO-226AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm.
Інші пропозиції ZVP2110A за ціною від 19.5 грн до 70.92 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
ZVP2110A | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.23A; 0.7W; TO92 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -0.23A Power dissipation: 0.7W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced |
на замовлення 2933 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
ZVP2110A | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 100V 230MA TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 375mA, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V |
на замовлення 33850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
ZVP2110A | Виробник : Diodes Incorporated | MOSFET P-Chnl 100V |
на замовлення 5054 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
ZVP2110A | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.23A; 0.7W; TO92 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -0.23A Power dissipation: 0.7W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2933 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
ZVP2110A | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZVP2110A - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 230 mA, 8 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 700mW Bauform - Transistor: TO-226AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm |
на замовлення 5862 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
ZVP2110A Код товару: 118751 |
Транзистори > Польові P-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
ZVP2110A | Виробник : Diodes Inc | Trans MOSFET P-CH 100V 0.23A 3-Pin E-Line |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
ZVP2110A | Виробник : Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 100V 0.23A 3-Pin E-Line |
товар відсутній |