ZVP2110GTA Diodes Zetex
на замовлення 64000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 33.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZVP2110GTA Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - ZVP2110GTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 310 mA, 8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 310mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції ZVP2110GTA за ціною від 27.98 грн до 129.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ZVP2110GTA | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET P-CH 100V 310MA SOT223Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 375mA, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V |
на замовлення 64000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
ZVP2110GTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZVP2110GTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 310 mA, 8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 310mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZVP2110GTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 100V 0.31A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZVP2110GTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 100V 0.31A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZVP2110GTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 100V 310MA SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 375mA, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V |
на замовлення 64000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
ZVP2110GTA | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs P-Chnl 100V |
на замовлення 9448 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZVP2110GTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZVP2110GTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 310 mA, 8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 310mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
ZVP2110GTA | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET P-CH 100V 0.31A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
ZVP2110GTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 100V 0.31A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |