ZVP2110GTA Diodes Zetex
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 25+ | 31.30 грн |
| 26+ | 30.26 грн |
| 100+ | 29.79 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
25 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZVP2110GTA Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - ZVP2110GTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 310 mA, 8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 310mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 2W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm.
Інші пропозиції ZVP2110GTA за ціною від 35.14 грн до 146.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ZVP2110GTA | Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET P-CH 100V 310MA SOT223Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 375mA, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
ZVP2110GTA | Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 100V 0.31A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
ZVP2110GTA | Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 100V 0.31A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
ZVP2110GTA | Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 100V 0.31A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
ZVP2110GTA | Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 100V 0.31A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
ZVP2110GTA | Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 100V 0.31A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
ZVP2110GTA | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 100V 310MA SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 375mA, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V |
на замовлення 3965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
ZVP2110GTA | Diodes Incorporated |
MOSFETs P-Chnl 100V |
на замовлення 6159 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
ZVP2110GTA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZVP2110GTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 310 mA, 8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 310mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 2W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm |
на замовлення 839 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
ZVP2110GTA | Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 100V 0.31A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
ZVP2110GTA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZVP2110GTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 310 mA, 8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 310mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 2W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm |
на замовлення 839 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| ZVP2110GTA |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 100V 310MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 375mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 100V 310MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 375mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 41.44 грн |
| 3000+ | 35.14 грн |
| ZVP2110GTA |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 100V 0.31A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 0.31A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 49.14 грн |
| ZVP2110GTA |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 100V 0.31A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 0.31A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 49.15 грн |
| ZVP2110GTA |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 100V 0.31A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 0.31A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 53.46 грн |
| ZVP2110GTA |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 100V 0.31A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 0.31A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 53.46 грн |
| ZVP2110GTA |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 100V 0.31A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 0.31A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 62.19 грн |
| 15+ | 53.99 грн |
| ZVP2110GTA |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 100V 310MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 375mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 100V 310MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 375mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
на замовлення 3965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 134.98 грн |
| 10+ | 82.45 грн |
| 25+ | 69.82 грн |
| 50+ | 58.13 грн |
| 100+ | 51.91 грн |
| ZVP2110GTA |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs P-Chnl 100V
MOSFETs P-Chnl 100V
на замовлення 6159 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 146.75 грн |
| 10+ | 68.96 грн |
| 100+ | 52.80 грн |
| 500+ | 46.88 грн |
| 1000+ | 37.52 грн |
| ZVP2110GTA |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZVP2110GTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 310 mA, 8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
Description: DIODES INC. - ZVP2110GTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 310 mA, 8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
на замовлення 839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| ZVP2110GTA |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 100V 0.31A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 0.31A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| ZVP2110GTA |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZVP2110GTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 310 mA, 8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
Description: DIODES INC. - ZVP2110GTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 310 mA, 8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
на замовлення 839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)