ZVP2110GTA Diodes Zetex


zvp2110g.pdf
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 100V 0.31A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+31.09 грн
26+30.06 грн
100+29.59 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZVP2110GTA Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - ZVP2110GTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 310 mA, 8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 310mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 2W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm.

Інші пропозиції ZVP2110GTA за ціною від 35.71 грн до 137.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
ZVP2110GTA ZVP2110GTA Diodes Incorporated ZVP2110G.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 310MA SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 375mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+42.11 грн
3000+35.71 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP2110GTA ZVP2110GTA Diodes Zetex zvp2110g.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 0.31A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+48.81 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP2110GTA ZVP2110GTA Diodes Zetex zvp2110g.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 0.31A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+48.82 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP2110GTA ZVP2110GTA Diodes Zetex zvp2110g.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 0.31A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+53.10 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP2110GTA ZVP2110GTA Diodes Zetex zvp2110g.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 0.31A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+53.10 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP2110GTA ZVP2110GTA Diodes Zetex zvp2110g.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 0.31A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+61.78 грн
15+53.63 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP2110GTA ZVP2110GTA Diodes Incorporated ZVP2110G.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 310MA SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 375mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.17 грн
10+83.78 грн
25+70.95 грн
50+59.08 грн
100+52.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP2110GTA ZVP2110GTA Diodes Incorporated ZVP2110G.pdf MOSFETs P-Chnl 100V
на замовлення 7803 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP2110GTA ZVP2110GTA DIODES INC. DIOD-S-A0014377426-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZVP2110GTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 310 mA, 8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
на замовлення 839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP2110GTA ZVP2110GTA Diodes Zetex zvp2110g.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 0.31A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP2110GTA ZVP2110GTA DIODES INC. DIOD-S-A0014377426-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZVP2110GTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 310 mA, 8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
на замовлення 839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP2110GTA ZVP2110G.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 100V 310MA SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 375mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+42.11 грн
3000+35.71 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP2110GTA zvp2110g.pdf
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 100V 0.31A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+48.81 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP2110GTA zvp2110g.pdf
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 100V 0.31A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+48.82 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP2110GTA zvp2110g.pdf
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 100V 0.31A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+53.10 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP2110GTA zvp2110g.pdf
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 100V 0.31A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+53.10 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP2110GTA zvp2110g.pdf
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 100V 0.31A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+61.78 грн
15+53.63 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP2110GTA ZVP2110G.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 100V 310MA SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 375mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+137.17 грн
10+83.78 грн
25+70.95 грн
50+59.08 грн
100+52.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP2110GTA ZVP2110G.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs P-Chnl 100V
на замовлення 7803 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP2110GTA DIOD-S-A0014377426-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZVP2110GTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 310 mA, 8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
на замовлення 839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP2110GTA zvp2110g.pdf
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 100V 0.31A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP2110GTA DIOD-S-A0014377426-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZVP2110GTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 310 mA, 8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
на замовлення 839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.