Інші пропозиції ZVP2120GTA за ціною від 14.64 грн до 52.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ZVP2120GTA | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET P-CH 200V 200MA SOT223Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 150mA, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V |
на замовлення 34000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
ZVP2120GTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZVP2120GTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 200 mA, 25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 871 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
ZVP2120GTA | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs P-Chnl 200V |
на замовлення 1728 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZVP2120GTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZVP2120GTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 200 mA, 25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 871 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZVP2120GTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 200V 200MA SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 150mA, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V |
на замовлення 34629 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| ZVP2120GTA | Виробник : ZETEX |
|
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |