Інші пропозиції ZVP3310A за ціною від 35.13 грн до 94.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
ZVP3310A | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 100V 140MA TO92-3Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 150mA, 10V Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V |
на замовлення 5673 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
ZVP3310A | Diodes Incorporated |
MOSFETs P-Chnl 100V |
на замовлення 14669 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
ZVP3310A | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZVP3310A - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 140 mA, 20 ohm, E-Line, DurchsteckmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 140mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 625mW SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: E-Line Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 20ohm |
на замовлення 1345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| ZVP3310A |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 100V 140MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 100V 140MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 5673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 94.06 грн |
| 10+ | 56.84 грн |
| 25+ | 47.79 грн |
| 50+ | 39.57 грн |
| 100+ | 35.13 грн |
| ZVP3310A |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs P-Chnl 100V
MOSFETs P-Chnl 100V
на замовлення 14669 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| ZVP3310A |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZVP3310A - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 140 mA, 20 ohm, E-Line, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: E-Line
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 20ohm
Description: DIODES INC. - ZVP3310A - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 140 mA, 20 ohm, E-Line, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: E-Line
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 20ohm
на замовлення 1345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






