
на замовлення 64000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
4000+ | 18.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZVP3310A Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - ZVP3310A - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 140 mA, 20 ohm, E-Line, Durchsteckmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 140mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625mW, Bauform - Transistor: E-Line, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 20ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції ZVP3310A за ціною від 14.95 грн до 78.60 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
ZVP3310A | Виробник : DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85411000 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 140mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: E-Line Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 20ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 3761 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
ZVP3310A | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() |
на замовлення 5775 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
ZVP3310A | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 150mA, 10V Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V |
на замовлення 42407 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
ZVP3310A Код товару: 44420
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||||||||
![]() |
ZVP3310A | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
![]() |
ZVP3310A | Виробник : Diodes Inc |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
ZVP3310A | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -140mA; Idm: -1.2A; 625mW Case: TO92 Mounting: THT Drain-source voltage: -100V Drain current: -140mA On-state resistance: 20Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.625W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -1.2A |
товару немає в наявності |