ZVP3310FTA


ZVP3310F.pdf
Код товару: 196658
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції ZVP3310FTA за ціною від 15.92 грн до 67.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
ZVP3310FTA ZVP3310FTA Diodes Incorporated ZVP3310F.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 75MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 330mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP3310FTA ZVP3310FTA DIODES INCORPORATED ZVP3310F.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -140mA; Idm: -1.2A; 0.33W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -140mA
Pulsed drain current: -1.2A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 273 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+58.71 грн
12+35.47 грн
25+29.18 грн
100+22.14 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP3310FTA ZVP3310FTA Diodes Incorporated ZVP3310F.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 75MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 330mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 3228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.41 грн
10+40.08 грн
25+33.48 грн
50+27.55 грн
100+24.30 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP3310FTA ZVP3310FTA Diodes Incorporated ZVP3310F.pdf MOSFETs P-Chnl 100V
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP3310FTA ZVP3310FTA DIODES INC. DIOD-S-A0009691726-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZVP3310FTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 75 mA, 20 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 330mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 20ohm
на замовлення 5550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP3310FTA ZVP3310FTA DIODES INC. DIOD-S-A0009691726-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZVP3310FTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 75 mA, 20 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 330mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 330mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 20ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 20ohm
на замовлення 5550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP3310FTA ZVP3310F.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 100V 75MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 330mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+15.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP3310FTA ZVP3310F.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -140mA; Idm: -1.2A; 0.33W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -140mA
Pulsed drain current: -1.2A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 273 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+58.71 грн
12+35.47 грн
25+29.18 грн
100+22.14 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP3310FTA ZVP3310F.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 100V 75MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 330mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 3228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+67.41 грн
10+40.08 грн
25+33.48 грн
50+27.55 грн
100+24.30 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP3310FTA ZVP3310F.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs P-Chnl 100V
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP3310FTA DIOD-S-A0009691726-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZVP3310FTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 75 mA, 20 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 330mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 20ohm
на замовлення 5550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP3310FTA DIOD-S-A0009691726-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZVP3310FTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 75 mA, 20 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 330mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 330mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 20ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 20ohm
на замовлення 5550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.