Інші пропозиції ZVP4525E6TA за ціною від 20.24 грн до 106.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ZVP4525E6TA | Виробник : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET P-CH 250V 0.197A 6-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZVP4525E6TA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 250V 0.197A 6-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZVP4525E6TA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 250V 0.197A 6-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZVP4525E6TA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 250V 0.197A 6-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZVP4525E6TA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 250V 0.197A 6-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
ZVP4525E6TA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZVP4525E6TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 197 mA, 10 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 197mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.1W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.1W Bauform - Transistor: SOT-26 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 10ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 17909 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZVP4525E6TA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 250V 0.197A 6-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZVP4525E6TA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZVP4525E6TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 197 mA, 10 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 197mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.1W Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 17909 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
ZVP4525E6TA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 250V 197MA SOT23-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 197mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.5V, 10V Vgs (Max): ±40V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V |
на замовлення 1814 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
ZVP4525E6TA | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs P-Chnl 250V |
на замовлення 187 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZVP4525E6TA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 250V 197MA SOT23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 197mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.5V, 10V Vgs (Max): ±40V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| ZVP4525E6TA | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: SMD |
товару немає в наявності |