ZVP4525GQTA Diodes Incorporated
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 90.16 грн |
| 10+ | 54.99 грн |
| 100+ | 31.29 грн |
| 500+ | 24.18 грн |
| 1000+ | 22.57 грн |
| 2000+ | 22.04 грн |
| 5000+ | 21.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZVP4525GQTA Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 101V~250V SOT223 T, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 265mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 200mA, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-223, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.5V, 10V, Vgs (Max): ±40V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 82 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції ZVP4525GQTA за ціною від 19.37 грн до 26.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ZVP4525GQTA | Виробник : Diodes Zetex |
 250V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
| ZVP4525GQTA | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: Transistors - Unclassified Description: ZVP4525GQTA |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||
| ZVP4525GQTA | Виробник : Diodes Inc |
MOSFET BVDSS: 101V250V SOT223 T&R 1K |
товару немає в наявності |
||||||
| ZVP4525GQTA | Виробник : Diodes Zetex |
250V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
||||||
 |
ZVP4525GQTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET BVDSS: 101V~250V SOT223 T Packaging: Bulk Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 265mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.5V, 10V Vgs (Max): ±40V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 82 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |