ZVP4525GTA Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 250V 265MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 265mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.5V, 10V
Vgs (Max): ±40V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 21.52 грн |
| 2000+ | 18.83 грн |
| 3000+ | 17.98 грн |
| 5000+ | 15.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZVP4525GTA Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - ZVP4525GTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 265 mA, 10 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 265mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції ZVP4525GTA за ціною від 16.08 грн до 61.90 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ZVP4525GTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZVP4525GTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 265 mA, 10 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 265mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 977 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZVP4525GTA | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.265A; 2W; SOT223 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -250V Drain current: -0.265A Power dissipation: 2W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±40V On-state resistance: 14Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 830 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZVP4525GTA | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.265A; 2W; SOT223 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -250V Drain current: -0.265A Power dissipation: 2W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±40V On-state resistance: 14Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 830 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZVP4525GTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 250V 265MA SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 265mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.5V, 10V Vgs (Max): ±40V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V |
на замовлення 5835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZVP4525GTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 250V 0.265A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 808 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZVP4525GTA | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs P-Chnl 250V |
на замовлення 24465 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZVP4525GTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 250V 0.265A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 808 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZVP4525GTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZVP4525GTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 265 mA, 10 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 265mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 977 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZVP4525GTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 250V 0.265A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |