ZVP4525GTA Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 250V 265MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 265mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.5V, 10V
Vgs (Max): ±40V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 25.18 грн |
| 2000+ | 22.17 грн |
| 3000+ | 21.11 грн |
| 5000+ | 18.70 грн |
| 7000+ | 18.04 грн |
| 10000+ | 17.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZVP4525GTA Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - ZVP4525GTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 265 mA, 10 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 265mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції ZVP4525GTA за ціною від 19.00 грн до 85.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ZVP4525GTA | Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 250V 0.265A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 808 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
ZVP4525GTA | Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 250V 0.265A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 808 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
ZVP4525GTA | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 250V 265MA SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 265mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.5V, 10V Vgs (Max): ±40V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V |
на замовлення 15182 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
ZVP4525GTA | Diodes Incorporated |
MOSFETs P-Chnl 250V |
на замовлення 22883 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
 |
ZVP4525GTA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZVP4525GTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 265 mA, 10 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 265mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
ZVP4525GTA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZVP4525GTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 265 mA, 10 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 265mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| ZVP4525GTA |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 250V 0.265A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET P-CH 250V 0.265A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 283+ | 49.91 грн |
| 390+ | 36.22 грн |
| 391+ | 36.10 грн |
| 637+ | 21.37 грн |
| ZVP4525GTA |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 250V 0.265A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET P-CH 250V 0.265A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 57.84 грн |
| 15+ | 50.57 грн |
| 25+ | 49.91 грн |
| 100+ | 34.93 грн |
| 250+ | 32.23 грн |
| 500+ | 19.00 грн |
| ZVP4525GTA |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 250V 265MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 265mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.5V, 10V
Vgs (Max): ±40V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 250V 265MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 265mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.5V, 10V
Vgs (Max): ±40V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V
на замовлення 15182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 85.82 грн |
| 10+ | 52.19 грн |
| 100+ | 34.38 грн |
| 500+ | 25.07 грн |
| ZVP4525GTA |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs P-Chnl 250V
MOSFETs P-Chnl 250V
на замовлення 22883 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| ZVP4525GTA |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZVP4525GTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 265 mA, 10 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 265mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - ZVP4525GTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 265 mA, 10 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 265mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| ZVP4525GTA |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZVP4525GTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 265 mA, 10 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 265mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - ZVP4525GTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 265 mA, 10 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 265mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)