ZVP4525ZTA Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 250V 205MA SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 205mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-89-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.5V, 10V
Vgs (Max): ±40V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V
на замовлення 28490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 25.95 грн |
| 2000+ | 22.89 грн |
| 3000+ | 21.82 грн |
| 5000+ | 19.35 грн |
| 7000+ | 18.69 грн |
| 10000+ | 18.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZVP4525ZTA Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - ZVP4525ZTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 205 mA, 10 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 205mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.2W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції ZVP4525ZTA за ціною від 23.01 грн до 93.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ZVP4525ZTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 250V 0.205A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 19000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
ZVP4525ZTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZVP4525ZTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 205 mA, 10 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 205mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.2W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1003 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZVP4525ZTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 250V 0.205A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 978 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZVP4525ZTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 250V 0.205A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 978 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZVP4525ZTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZVP4525ZTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 205 mA, 10 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 205mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.2W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1003 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZVP4525ZTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 250V 205MA SOT89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 205mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-89-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.5V, 10V Vgs (Max): ±40V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V |
на замовлення 28905 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
ZVP4525ZTA | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs P-Chnl 250V |
на замовлення 16187 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZVP4525ZTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 250V 0.205A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
ZVP4525ZTA | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.205A; 1.2W; SOT89 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -250V Drain current: -0.205A Power dissipation: 1.2W Case: SOT89 Gate-source voltage: ±40V On-state resistance: 14Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |