Технічний опис ZX5T853GTA Diodes Zetex
Description: TRANS NPN 100V 6A SOT-223-3, Power - Max: 3 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Current - Collector (Ic) (Max): 6 A, Part Status: Active, Supplier Device Package: SOT-223-3, Frequency - Transition: 130MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 500mA, 5A, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції ZX5T853GTA за ціною від 24.91 грн до 112.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
ZX5T853GTA | Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 100V 6A SOT-223-3Power - Max: 3 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-223-3 Frequency - Transition: 130MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 500mA, 5A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
ZX5T853GTA | Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 100V 6A SOT-223-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 3 W |
на замовлення 9839 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
ZX5T853GTA | Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT NPN 100V |
на замовлення 7545 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
ZX5T853GTA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZX5T853GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 6 A, 3 W, SOT-223, OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 10 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 6 Verlustleistung: 3 Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: ZX Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100 Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 130 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
ZX5T853GTA | Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 100V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
ZX5T853GTA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZX5T853GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 6 A, 3 W, SOT-223, OberflächenmontageKollektor-Emitter-Spannung, max.: 100 Verlustleistung: 3 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 6 |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ZX5T853GTA |
|
на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| ZX5T853GTA |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 100V 6A SOT-223-3
Power - Max: 3 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-3
Frequency - Transition: 130MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 500mA, 5A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: TRANS NPN 100V 6A SOT-223-3
Power - Max: 3 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-3
Frequency - Transition: 130MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 500mA, 5A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 34.24 грн |
| 2000+ | 30.32 грн |
| 3000+ | 28.97 грн |
| 5000+ | 25.76 грн |
| 7000+ | 24.91 грн |
| ZX5T853GTA |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 100V 6A SOT-223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 3 W
Description: TRANS NPN 100V 6A SOT-223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 3 W
на замовлення 9839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 112.88 грн |
| 10+ | 68.80 грн |
| 100+ | 45.94 грн |
| 500+ | 33.91 грн |
| ZX5T853GTA |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT NPN 100V
Bipolar Transistors - BJT NPN 100V
на замовлення 7545 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| ZX5T853GTA |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZX5T853GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 6 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 10
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6
Verlustleistung: 3
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: ZX Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: DIODES INC. - ZX5T853GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 6 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 10
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6
Verlustleistung: 3
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: ZX Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| ZX5T853GTA |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 100V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans GP BJT NPN 100V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| ZX5T853GTA |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZX5T853GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 6 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100
Verlustleistung: 3
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6
Description: DIODES INC. - ZX5T853GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 6 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100
Verlustleistung: 3
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




