Продукція > DIODES ZETEX > ZX5T853GTA
ZX5T853GTA

ZX5T853GTA Diodes Zetex

2297914065717749zx5t853g.pdf
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 100V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 43000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+32.11 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 1000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZX5T853GTA Diodes Zetex

Description: TRANS NPN 100V 6A SOT-223-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 500mA, 5A, Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V, Frequency - Transition: 130MHz, Supplier Device Package: SOT-223-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 6 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 3 W.

Інші пропозиції ZX5T853GTA за ціною від 36.27 грн до 125.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
ZX5T853GTA ZX5T853GTA Diodes Incorporated ZX5T853G.pdf Description: TRANS NPN 100V 6A SOT-223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 3 W
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+37.91 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZX5T853GTA ZX5T853GTA Diodes Incorporated ZX5T853G.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN 100V
на замовлення 11225 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+105.78 грн
10+59.19 грн
100+36.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZX5T853GTA ZX5T853GTA Diodes Incorporated ZX5T853G.pdf Description: TRANS NPN 100V 6A SOT-223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 3 W
на замовлення 2778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.23 грн
10+76.15 грн
25+64.38 грн
50+53.54 грн
100+47.73 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZX5T853GTA ZX5T853GTA DIODES INC. DIOD-S-A0002833697-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZX5T853GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 6 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 10
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6
Verlustleistung: 3
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: ZX Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZX5T853GTA ZX5T853GTA Diodes Zetex 2297914065717749zx5t853g.pdf Trans GP BJT NPN 100V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZX5T853GTA ZX5T853GTA DIODES INC. DIOD-S-A0002833697-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZX5T853GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 6 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100
Verlustleistung: 3
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZX5T853GTA ZX5T853G.pdf
ZX5T853GTA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 100V 6A SOT-223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 3 W
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+37.91 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZX5T853GTA ZX5T853G.pdf
ZX5T853GTA
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT NPN 100V
на замовлення 11225 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+105.78 грн
10+59.19 грн
100+36.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZX5T853GTA ZX5T853G.pdf
ZX5T853GTA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 100V 6A SOT-223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 3 W
на замовлення 2778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+125.23 грн
10+76.15 грн
25+64.38 грн
50+53.54 грн
100+47.73 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZX5T853GTA DIOD-S-A0002833697-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ZX5T853GTA
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZX5T853GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 6 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 10
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6
Verlustleistung: 3
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: ZX Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZX5T853GTA 2297914065717749zx5t853g.pdf
ZX5T853GTA
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 100V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZX5T853GTA DIOD-S-A0002833697-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ZX5T853GTA
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZX5T853GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 6 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100
Verlustleistung: 3
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.