на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 25.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZX5T853GTA Diodes Inc
Description: TRANS NPN 100V 6A SOT223-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 500mA, 5A, Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V, Frequency - Transition: 130MHz, Supplier Device Package: SOT-223-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 6 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 3 W.
Інші пропозиції ZX5T853GTA за ціною від 23.66 грн до 112.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ZX5T853GTA | Виробник : Diodes Zetex |
 Trans GP BJT NPN 100V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 43000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
ZX5T853GTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 100V 6A SOT223-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 3 W |
на замовлення 28375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
ZX5T853GTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZX5T853GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 6 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100 Verlustleistung: 3 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 6 |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZX5T853GTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZX5T853GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 6 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 10 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 6 Verlustleistung: 3 Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: ZX Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100 Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 130 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
ZX5T853GTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT NPN 100V |
на замовлення 7545 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZX5T853GTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 100V 6A SOT223-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 3 W |
на замовлення 29393 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZX5T853GTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 100V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| ZX5T853GTA |
|
на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
ZX5T853GTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 100V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
ZX5T853GTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 100V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |