ZXM62P03E6TA

ZXM62P03E6TA Diodes Incorporated


ZXM62P03E6.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+20.44 грн
6000+18.19 грн
9000+17.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXM62P03E6TA Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT26, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 625mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-26, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V.

Інші пропозиції ZXM62P03E6TA за ціною від 17.23 грн до 82.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ZXM62P03E6TA ZXM62P03E6TA Diodes Incorporated ZXM62P03E6.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
на замовлення 13539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+52.22 грн
10+43.43 грн
100+30.10 грн
500+23.60 грн
1000+20.09 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62P03E6TA ZXM62P03E6TA Diodes Incorporated ZXM62P03E6.pdf MOSFETs 30V P-Chnl HDMOS
на замовлення 4101 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+82.87 грн
10+50.95 грн
100+29.19 грн
500+22.64 грн
1000+20.54 грн
3000+17.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62P03E6TA ZXM62P03E6.pdf
ZXM62P03E6TA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
на замовлення 13539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+52.22 грн
10+43.43 грн
100+30.10 грн
500+23.60 грн
1000+20.09 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62P03E6TA ZXM62P03E6.pdf
ZXM62P03E6TA
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 30V P-Chnl HDMOS
на замовлення 4101 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+82.87 грн
10+50.95 грн
100+29.19 грн
500+22.64 грн
1000+20.54 грн
3000+17.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.