ZXM62P03E6TC

ZXM62P03E6TC Diodes Inc


33360097218072536zxm62p03e6.pdf Виробник: Diodes Inc
Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 6-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXM62P03E6TC Diodes Inc

Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT26, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 800mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 625mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-26, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V.

Інші пропозиції ZXM62P03E6TC

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ZXM62P03E6TC ZXM62P03E6TC Виробник : Diodes Incorporated Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62P03E6TC ZXM62P03E6TC Виробник : Diodes Incorporated ZXM62P03E6-93101.pdf MOSFET 30V P Chnl HDMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.