ZXM64P02XTA

ZXM64P02XTA Diodes Incorporated


ZXM64P02X.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A 8MSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-MSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 15 V
на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+42.36 грн
2000+37.66 грн
3000+36.07 грн
5000+32.82 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXM64P02XTA Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A 8MSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.4A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min), Supplier Device Package: 8-MSOP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 15 V.

Інші пропозиції ZXM64P02XTA за ціною від 35.37 грн до 137.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ZXM64P02XTA ZXM64P02XTA Виробник : Diodes Incorporated ZXM64P02X.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A 8MSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-MSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 15 V
на замовлення 9645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.71 грн
10+74.04 грн
100+57.57 грн
500+45.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P02XTA ZXM64P02XTA Виробник : Diodes Incorporated ZXM64P02X.pdf MOSFETs 20V P-Chnl HDMOS
на замовлення 1598 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+137.01 грн
10+86.37 грн
100+50.73 грн
500+40.28 грн
1000+35.84 грн
2000+35.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.