ZXM64P03XTA

ZXM64P03XTA Diodes Incorporated


ZXM64P03X.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 30V 3.8A 8MSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 25 V
на замовлення 7000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+46.83 грн
2000+41.69 грн
3000+39.96 грн
5000+36.82 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXM64P03XTA Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CH 30V 3.8A 8MSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-MSOP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 25 V.

Інші пропозиції ZXM64P03XTA за ціною від 51.39 грн до 105.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ZXM64P03XTA ZXM64P03XTA Виробник : Diodes Incorporated ZXM64P03X.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 3.8A 8MSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 25 V
на замовлення 7884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+105.27 грн
10+83.06 грн
100+64.60 грн
500+51.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.