на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 20.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXMC10A816N8TC Diodes Inc
Description: DIODES INC. - ZXMC10A816N8TC - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 2.1 A, 2.1 A, 0.17 ohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.1A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.1A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm, Verlustleistung Pd: 2.1W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.17ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції ZXMC10A816N8TC за ціною від 22.61 грн до 83.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ZXMC10A816N8TC | Виробник : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXMC10A816N8TC | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 210000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZXMC10A816N8TC | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.8W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 497pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 210000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXMC10A816N8TC | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZXMC10A816N8TC | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMC10A816N8TC - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 2.1 A, 2.1 A, 0.17 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.17ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 2470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXMC10A816N8TC | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 1510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXMC10A816N8TC | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.8W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 497pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 210000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZXMC10A816N8TC | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET 100V COMPLEMENTARY DUAL ENHANCEMNT MODE |
на замовлення 14182 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXMC10A816N8TC | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 1510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXMC10A816N8TC | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMC10A816N8TC - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 2.1 A, 2.1 A, 0.17 ohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.1A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm Verlustleistung Pd: 2.1W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.17ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 2470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
ZXMC10A816N8TC Код товару: 184010 |
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1 |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
|
|
ZXMC10A816N8TC | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
ZXMC10A816N8TC | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 100/-100V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Drain-source voltage: 100/-100V Drain current: 2.2/-2.1A Power dissipation: 2.4W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.23/0.235Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
ZXMC10A816N8TC | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
ZXMC10A816N8TC | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 100/-100V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Drain-source voltage: 100/-100V Drain current: 2.2/-2.1A Power dissipation: 2.4W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.23/0.235Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |