Продукція > DIODES INC > ZXMC10A816N8TC
ZXMC10A816N8TC

ZXMC10A816N8TC Diodes Inc

1163901088420510zxmc10a816n8.pdf Виробник: Diodes Inc
Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+23.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXMC10A816N8TC Diodes Inc

Description: DIODES INC. - ZXMC10A816N8TC - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 2.1 A, 2.1 A, 0.17 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.1A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.17ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції ZXMC10A816N8TC за ціною від 28.26 грн до 119.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ZXMC10A816N8TC ZXMC10A816N8TC Виробник : Diodes Zetex zxmc10a816n8.pdf Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+30.24 грн
5000+29.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC10A816N8TC ZXMC10A816N8TC Виробник : Diodes Zetex zxmc10a816n8.pdf Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+32.12 грн
5000+31.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC10A816N8TC ZXMC10A816N8TC Виробник : Diodes Zetex zxmc10a816n8.pdf Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+32.40 грн
5000+31.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC10A816N8TC ZXMC10A816N8TC Виробник : Diodes Zetex zxmc10a816n8.pdf Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+34.35 грн
5000+33.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC10A816N8TC ZXMC10A816N8TC Виробник : Diodes Zetex zxmc10a816n8.pdf Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
248+39.03 грн
Мінімальне замовлення: 248
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC10A816N8TC ZXMC10A816N8TC Виробник : DIODES INC. DIODS09143-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: DIODES INC. - ZXMC10A816N8TC - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 2.1 A, 2.1 A, 0.17 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.17ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+48.90 грн
500+38.50 грн
1000+28.30 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC10A816N8TC ZXMC10A816N8TC Виробник : DIODES INC. DIODS09143-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: DIODES INC. - ZXMC10A816N8TC - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 2.1 A, 2.1 A, 0.17 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.17ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+86.98 грн
14+62.32 грн
100+44.08 грн
500+32.93 грн
1000+28.45 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC10A816N8TC ZXMC10A816N8TC Виробник : Diodes Incorporated ZXMC10A816N8.pdf Description: MOSFET N/P-CH 100V 2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 497pF @ 50V, 717pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 1644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.39 грн
10+58.42 грн
100+40.67 грн
500+30.70 грн
1000+28.26 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC10A816N8TC ZXMC10A816N8TC Виробник : Diodes Incorporated ZXMC10A816N8.pdf MOSFETs 100V COMPLEMENTARY DUAL ENHANCEMNT MODE
на замовлення 7837 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.44 грн
10+74.45 грн
100+42.31 грн
500+34.70 грн
1000+32.22 грн
2500+28.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC10A816N8TC ZXMC10A816N8TC Виробник : Diodes Zetex zxmc10a816n8.pdf Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC10A816N8TC
Код товару: 184010
Додати до обраних Обраний товар

ZXMC10A816N8.pdf Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC10A816N8TC ZXMC10A816N8TC Виробник : Diodes Inc 1163901088420510zxmc10a816n8.pdf Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC10A816N8TC ZXMC10A816N8TC Виробник : Diodes Incorporated ZXMC10A816N8.pdf Description: MOSFET N/P-CH 100V 2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 497pF @ 50V, 717pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC10A816N8TC ZXMC10A816N8TC Виробник : DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDC9B8D5FD5AA9760CE&compId=ZXMC10A816N8.pdf?ci_sign=4dcc964adf5f7787e1ca8598dedb1ff9e01faf4c Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 100/-100V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 100/-100V
Drain current: 2.2/-2.1A
Pulsed drain current: 9.4A
Power dissipation: 2.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.23/0.235Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.