Продукція > Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1 > ZXMC10A816N8TC

ZXMC10A816N8TC

ZXMC10A816N8.pdf
Код товару: 184010
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції ZXMC10A816N8TC за ціною від 27.04 грн до 103.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
ZXMC10A816N8TC ZXMC10A816N8TC Diodes Incorporated ZXMC10A816N8.pdf Description: MOSFET N/P-CH 100V 2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 497pF @ 50V, 717pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC10A816N8TC ZXMC10A816N8TC Diodes Zetex zxmc10a816n8.pdf Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.98 грн
5000+34.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC10A816N8TC ZXMC10A816N8TC Diodes Zetex zxmc10a816n8.pdf Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.98 грн
5000+34.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC10A816N8TC ZXMC10A816N8TC Diodes Zetex zxmc10a816n8.pdf Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.08 грн
5000+36.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC10A816N8TC ZXMC10A816N8TC Diodes Zetex zxmc10a816n8.pdf Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.15 грн
5000+36.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC10A816N8TC ZXMC10A816N8TC Diodes Zetex zxmc10a816n8.pdf Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
248+42.14 грн
Мінімальне замовлення: 248 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC10A816N8TC ZXMC10A816N8TC Diodes Incorporated ZXMC10A816N8.pdf Description: MOSFET N/P-CH 100V 2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 497pF @ 50V, 717pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 2814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+103.61 грн
10+62.84 грн
100+41.87 грн
500+30.85 грн
1000+28.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC10A816N8TC ZXMC10A816N8TC Diodes Incorporated ZXMC10A816N8.pdf MOSFETs 100V COMPLEMENTARY DUAL ENHANCEMNT MODE
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC10A816N8TC ZXMC10A816N8TC DIODES INC. DIODS09143-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: DIODES INC. - ZXMC10A816N8TC - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 2.1 A, 2.1 A, 0.23 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.235ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.23ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC10A816N8TC ZXMC10A816N8TC DIODES INC. DIODS09143-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: DIODES INC. - ZXMC10A816N8TC - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 2.1 A, 2.1 A, 0.17 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.17ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC10A816N8TC ZXMC10A816N8TC Diodes Zetex zxmc10a816n8.pdf Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 248 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC10A816N8TC ZXMC10A816N8.pdf
ZXMC10A816N8TC
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 100V 2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 497pF @ 50V, 717pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+27.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC10A816N8TC zxmc10a816n8.pdf
ZXMC10A816N8TC
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+34.98 грн
5000+34.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC10A816N8TC zxmc10a816n8.pdf
ZXMC10A816N8TC
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+34.98 грн
5000+34.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC10A816N8TC zxmc10a816n8.pdf
ZXMC10A816N8TC
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+37.08 грн
5000+36.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC10A816N8TC zxmc10a816n8.pdf
ZXMC10A816N8TC
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+37.15 грн
5000+36.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC10A816N8TC zxmc10a816n8.pdf
ZXMC10A816N8TC
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
248+42.14 грн
Мінімальне замовлення: 248 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC10A816N8TC ZXMC10A816N8.pdf
ZXMC10A816N8TC
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 100V 2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 497pF @ 50V, 717pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 2814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+103.61 грн
10+62.84 грн
100+41.87 грн
500+30.85 грн
1000+28.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC10A816N8TC ZXMC10A816N8.pdf
ZXMC10A816N8TC
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 100V COMPLEMENTARY DUAL ENHANCEMNT MODE
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC10A816N8TC DIODS09143-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419
ZXMC10A816N8TC
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMC10A816N8TC - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 2.1 A, 2.1 A, 0.23 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.235ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.23ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC10A816N8TC DIODS09143-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419
ZXMC10A816N8TC
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMC10A816N8TC - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 2.1 A, 2.1 A, 0.17 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.17ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC10A816N8TC zxmc10a816n8.pdf
ZXMC10A816N8TC
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 248 шт
В кошику  од. на суму  грн.